功率型发光二极管的寿命与失效分析_钱可元.pdfVIP

功率型发光二极管的寿命与失效分析_钱可元.pdf

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功率型发光二极管的寿命与失效分析_钱可元

收稿日期: 2010- 12- 27. 基金项目:国家 863 计划项目 ( 2008AA03A 194) ; 广东省 发展平板显示产业财政扶持资金项目( 20x80902) ;深圳市产 学研 和 公 共 科 技 专 项 资 助 项 目 ( 08CXY - 14 , SY200806300244A) ;深圳市南山区科技研发资金资助项目 ( 2009003) . 光电器件 功率型发光二极管的寿命与失效分析 钱可元1 , 刘洪涛1, 2 , 纪春绍3 ( 1. 清华大学深圳研究生院 半导体照明实验室, 广东 深圳 518055; 2. 上海飞机设计研究院, 上海 200235; 3. 山东省肿瘤医院, 济南 250001) 摘 要: 可靠性是影响发光二极管应用的一个重要因素。对 1 W大功率发光二极管分批在 不同电流及不同结温下进行试验, 分析了电流和结温对功率型发光二极管寿命的影响,应用应力加 速模型推测在不同电流或结温条件下发光二极管的寿命,同时研究了试验过程中发光二极管的光 电性能的变化, 探索其失效机理,为功率型发光二极管的应用提供参考。 关键词: 功率型发光二极管; 可靠性; 性能退化 中图分类号: T N312. 8 文献标识码: A 文章编号: 1001- 5868( 2011) 03- 0331- 05 Analysis of the Degradation of High Power Light Emitting Diode QIAN Keyuan1 , LIU Hong tao1, 2 , JI Chunshao3 ( 1. Semiconductor Lighting Laboratory, Graduate School at Shenzhen, Tsinghua University, Shenzhen 518055, CHN; 2. Shanghai Aircraft Institute, Shanghai 200235, CHN; 3. Shandong Cancer Hospital, Jinan 250001, CHN) Abstract: Reliability play s an important ro le in the applicat ion of light em itt ing diode. T w o life tests ar e conducted to compar e the r espect ive ef fects of driv e curr ent and junct ion temperature on the lifet ime of 1W pow er LED. Current accelerated pr edict ion and temperature accelerated predict ion models ar e intr oduced to predict the lifetime under other condit ions w ith dif ferent drive current o r junct ion temperature. The variat ion of the photoelect ric pr opert ies through the experiment is analyzed to f ind the mechanism of degradat ion. These results can be review ed in the application of LED. Key words: pow er LED; reliability ; property deg radat ion 0 引言 目前功率型白光发光二极管的效率已经远超过 荧光灯, LED 的使用寿命成为了影响其应用的一 个重要因素,寿命反映了发光二极管的可靠性。发 光二极管的寿命与其工作状态有关,结温或电流的 增加会加速发光二极管的老化。失效原因可分为发 光芯片老化和封装材料性能的退化两个方面 [ 1 2]。 小功率发光二极管的失效主要归结为封装树脂性能 的退化[ 3] , 大功率发光二极管采用抗老化的硅树脂 封装,封装材料退化有所减小。由于发光芯片及封 装等的质量不同, 不同发光二极管的寿命相差较大, 我们通过实验对目前一些商用功率型发光二极管进 行了老化试验,分析了寿命与老化条件的关系, 最终 可以预测在不同条件(电流、温度等)下器件的寿命, 同时对老化过程中发光二极管的电性能及光性能的 变化进行了分析, 初步探讨了功率型发光二极管的 失效机理。 1 实验模型及分析方法 发光二极管的失效表现为突变失效和缓变失 331 半导体光电 201

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