发光二极体.doc.doc

發光二極體 發光二極體（Light Emitting Diode,LED），是一種半導體元件。1955年，美國無線電公司（Radio Corporation of America）的魯賓·布朗石泰（Rubin Braunstein）生首次發現了砷化鎵(GaAs)及其他半導體合金的紅外放射作用。1962年，通用電氣公司的尼克·何倫亞克（Nick Holonyak Jr.）開發出第一種實際應用的可見光發光二極體。1960年代，紅光LED就已經發明，而其他顏色的LED也相繼出現，但是直到1990年代初期，在藍光LED發明之後，全彩化的LED才得以實現。初時的LED多用作為指示燈、顯示板等；而現今LED的應用範圍很廣，從照明、背光、廣告招牌、交通號誌、紅綠燈、手電筒、相機閃光燈、裝飾燈等，皆可看到LED的蹤跡，隨著白光LED的出現，也被用作照明。它是21世紀的新型光源，具有效率高，壽命長，不易破損等傳統光源無法與之比較的優點。 1-1發光二極體的發光原理 發光二極體是一種特殊的二極體。和普通的二極體一樣，發光二極體由半導體晶片組成，它是利用波爾效應定理把電能轉換為光能的一種原件，這些半導體材料會預先摻雜三價或五價雜質以產生P型或N型半導體架構。與其它二極體一樣，發光二極體中電流可以輕易地從P極（正極）流向N極（負極），而相反方向則不能。而順向電流是由兩種不同的載子所產生(電洞流和電子流)，電洞和電子在正負不同極性的電壓作用下從電極兩端分別流向PN接合面，當電洞與電子相遇產生複合的過程，電子會跌落到較低的能階，同時以光子的模式釋放出能量而產生光。 一般二極體主要材料以矽為主，但因為材料矽屬於間接能隙(indirect bandgap)材料，，由於電子經傳導帶往價電帶進行復合時，須加上聲子為維持動量守恆定律，故在過程中電子會消耗多餘的能量，僅釋放極微弱的光能，所以看不到發光。而發光二極體LED是以化合物半導體為材料，由三價或五價元素化合組成，如砷化鎵、磷化砷鎵、氮化鎵等，屬於直接能隙材料，所以可以發光。若半導體傳導帶底端之電子動能與價電帶頂端之電子動能相等，則稱為直接能隙半導體，否則為間接能隙半導體。能帶圖除上次PN接合面提過的表示方式外，還有另一種表示方法，是以動量為橫座標，能量為縱座標，當傳導帶的谷值和價電帶的峰值不在同一水平位置，即有動量差時，此材料稱為間接能隙元件，如矽。反之如兩者在同一水平位置，即沒有動量差時，稱為直接能隙元件，如砷化鎵，參考圖(1)。這也就是三五化合物半導體所以比較容易發光的原因。 間接能隙半導體：如Si，電子在價電帶與導電帶中躍遷，需要遵守動量守恆。所以躍遷發生除了所需能量外，還包括與晶格的交互作用。(導電帶能量最低點和價電帶能量最高點之p不同) 直接能隙半導體:如GaAs，電子在價電帶與導電帶中躍遷，不需要改變動量。所以光電子產生的效率高，適合作為半導體雷射或其他發光元件的材料。(導電帶能量最低點和價電帶能量最高點之p相同) LED發光的主要原理：當PN接面加入順向偏壓時，P型區的多數載子電洞會往N型區移動，而N型區的多數載子電子則往P型區移動，最後電子與電洞兩載子會在PN接面之空乏區復合，此時因電子由傳導帶移轉至價電帶後喪失能階，同時以光子的模式釋放出能量而產生光。而LED之能量是以散射光的方式釋放，屬於冷性發光，另外，有些LED之發光原理則是藉由電子加速後之撞擊、游離化過程釋出能量而發光。與藉由加熱發光的白熾燈或藉由放電發光的日光燈之發光原理不同。如圖(2) 圖(2) 典型LED之外觀及接角之符號 LED與一般白熾燈泡及日光燈的發光原理不同，發光二極體僅在順偏的P-N接面下工作，且微小的順向電流就能使LED發光。其光的波長由材料的能隙決定，而光的波長也決定了發光顏色。在我們加上順偏後，大量的電子由N側注入到P側，大量的電洞由P側注入到N側，P-N接面即形成導通的狀態。在電子、電洞往接面處移動的情況下，在接面處，電子從導帶跳到價帶與電洞進行復合，其損失的能量便以光的形式輸出，其輸出之光波長，會符合以下公式 光波長與光頻率關係為 光速 C = 3×108(m/s) = v ×λ 而光子能量E＝h×v ∴ h：浦朗克常數 ＝6.626×10-34 J-S v：頻率 c：光速 ev：電子伏特。(1電子伏特=1.6×10-19J-S) 公式：光波長(nm：10-9m) LED所發出的光波長，決定發光之顏色，而光波長是由組成PN結構的半導體材料的能隙大小來決定。由於矽和鍺是間接能隙材料，在這些材料中電子與電洞的複合是非輻射躍遷，此類躍遷沒有釋出光子，所以矽和鍺二極體不能發光。發光二極體所用的材料都是直接能隙型的，這些禁帶能量對應著近紅外線、可見光、或近紫外線波段的光能