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发光二极体.doc
發光二極體
發光二極體(Light Emitting Diode,LED),是一種半導體元件。1955年,美國無線電公司(Radio Corporation of America)的魯賓·布朗石泰(Rubin Braunstein)生首次發現了砷化鎵(GaAs)及其他半導體合金的紅外放射作用。1962年,通用電氣公司的尼克·何倫亞克(Nick Holonyak Jr.)開發出第一種實際應用的可見光發光二極體。1960年代,紅光LED就已經發明,而其他顏色的LED也相繼出現,但是直到1990年代初期,在藍光LED發明之後,全彩化的LED才得以實現。初時的LED多用作為指示燈、顯示板等;而現今LED的應用範圍很廣,從照明、背光、廣告招牌、交通號誌、紅綠燈、手電筒、相機閃光燈、裝飾燈等,皆可看到LED的蹤跡,隨著白光LED的出現,也被用作照明。它是21世紀的新型光源,具有效率高,壽命長,不易破損等傳統光源無法與之比較的優點。
1-1發光二極體的發光原理
發光二極體是一種特殊的二極體。和普通的二極體一樣,發光二極體由半導體晶片組成,它是利用波爾效應定理把電能轉換為光能的一種原件,這些半導體材料會預先摻雜三價或五價雜質以產生P型或N型半導體架構。與其它二極體一樣,發光二極體中電流可以輕易地從P極(正極)流向N極(負極),而相反方向則不能。而順向電流是由兩種不同的載子所產生(電洞流和電子流),電洞和電子在正負不同極性的電壓作用下從電極兩端分別流向PN接合面,當電洞與電子相遇產生複合的過程,電子會跌落到較低的能階,同時以光子的模式釋放出能量而產生光。
一般二極體主要材料以矽為主,但因為材料矽屬於間接能隙(indirect bandgap)材料,,由於電子經傳導帶往價電帶進行復合時,須加上聲子為維持動量守恆定律,故在過程中電子會消耗多餘的能量,僅釋放極微弱的光能,所以看不到發光。而發光二極體LED是以化合物半導體為材料,由三價或五價元素化合組成,如砷化鎵、磷化砷鎵、氮化鎵等,屬於直接能隙材料,所以可以發光。若半導體傳導帶底端之電子動能與價電帶頂端之電子動能相等,則稱為直接能隙半導體,否則為間接能隙半導體。能帶圖除上次PN接合面提過的表示方式外,還有另一種表示方法,是以動量為橫座標,能量為縱座標,當傳導帶的谷值和價電帶的峰值不在同一水平位置,即有動量差時,此材料稱為間接能隙元件,如矽。反之如兩者在同一水平位置,即沒有動量差時,稱為直接能隙元件,如砷化鎵,參考圖(1)。這也就是三五化合物半導體所以比較容易發光的原因。
間接能隙半導體:如Si,電子在價電帶與導電帶中躍遷,需要遵守動量守恆。所以躍遷發生除了所需能量外,還包括與晶格的交互作用。(導電帶能量最低點和價電帶能量最高點之p不同)
直接能隙半導體:如GaAs,電子在價電帶與導電帶中躍遷,不需要改變動量。所以光電子產生的效率高,適合作為半導體雷射或其他發光元件的材料。(導電帶能量最低點和價電帶能量最高點之p相同)
LED發光的主要原理:當PN接面加入順向偏壓時,P型區的多數載子電洞會往N型區移動,而N型區的多數載子電子則往P型區移動,最後電子與電洞兩載子會在PN接面之空乏區復合,此時因電子由傳導帶移轉至價電帶後喪失能階,同時以光子的模式釋放出能量而產生光。而LED之能量是以散射光的方式釋放,屬於冷性發光,另外,有些LED之發光原理則是藉由電子加速後之撞擊、游離化過程釋出能量而發光。與藉由加熱發光的白熾燈或藉由放電發光的日光燈之發光原理不同。如圖(2)
圖(2) 典型LED之外觀及接角之符號
LED與一般白熾燈泡及日光燈的發光原理不同,發光二極體僅在順偏的P-N接面下工作,且微小的順向電流就能使LED發光。其光的波長由材料的能隙決定,而光的波長也決定了發光顏色。在我們加上順偏後,大量的電子由N側注入到P側,大量的電洞由P側注入到N側,P-N接面即形成導通的狀態。在電子、電洞往接面處移動的情況下,在接面處,電子從導帶跳到價帶與電洞進行復合,其損失的能量便以光的形式輸出,其輸出之光波長,會符合以下公式
光波長與光頻率關係為
光速 C = 3×108(m/s) = v ×λ
而光子能量E=h×v
∴
h:浦朗克常數 =6.626×10-34 J-S
v:頻率
c:光速
ev:電子伏特。(1電子伏特=1.6×10-19J-S)
公式:光波長(nm:10-9m)
LED所發出的光波長,決定發光之顏色,而光波長是由組成PN結構的半導體材料的能隙大小來決定。由於矽和鍺是間接能隙材料,在這些材料中電子與電洞的複合是非輻射躍遷,此類躍遷沒有釋出光子,所以矽和鍺二極體不能發光。發光二極體所用的材料都是直接能隙型的,這些禁帶能量對應著近紅外線、可見光、或近紫外線波段的光能
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