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无机固体化学; 主要内容;习题;固体化学;固体化学;固体化学;固体化学;制备方法—固态反应;制备方法—固态反应;制备方法—固态反应;制备方法—溶液、熔体、玻璃和凝胶中的结晶作用;制备方法—溶液、熔体、玻璃和凝胶中的结晶作用;制备方法—溶液、熔体、玻璃和凝胶中的结晶作用;制备方法—气相运输法;制备方法—插入反应;制备方法—插入反应;制备方法—离子交换反应;制备方法—电化学方法;制备方法—薄膜的制备;制备方法—水热法;制备方法—高压法;固体物质的分类;晶体的宏观特征; 有固定的熔点 物理性质的各向异性（如外形，晶体力学性质） 表明晶体的内部结构的规则性在不同方向是不一致的。 对称性;晶体的微观特征;二维点阵,结构基元：[B(OH)3]2;三维点阵;七大晶系 三斜，单斜，正交，四方，三凌，六方，立方 14种Bravais晶格类型 P，C，I，F 32种点群 230种空间群 ;有衍射效应： 晶体相当于一个三维光栅，能使一定波长的 X-射线、电子流、中子流产生衍射效应 ;只有玻璃转化温度，无熔点 没有规则的多面体几何外型，可以制成玻璃体，丝，薄膜等特殊形态 物理性质各向同性 均匀性来源于原子无序分布的统计性规律，无晶界。 ;长程无序，无平移对称性;衍射为弥散的晕和宽化的衍射带 短程有序;按照化学组成 金属 无机 有机 按照固体中原子之间结合力的本质 离子晶体 共价晶体 金属晶体 分子晶体 氢键晶体;金属原子的堆积方式;简单立方堆积;体心立方堆积;面心立方密堆积;;六方密堆积;;一个球;常见的离子晶体类型（NaCl，CsCl，立方ZnS，六方ZnS，CaF2，TiO2）结构型式 ;NaCl type;CsCl type;CaF2型;红镍矿型结构;立方ZnS（闪锌矿型）;TiO2（金红石）型;半径比规则;复杂氧化物矿物－－钙钛矿;复杂氧化物矿物－－尖晶石;氢氧化物矿物－－水镁石;结构类型;固体的缺陷结构;肖脱基 (Schottky) 空位 脱位原子进入其他空位或迁移至晶界或晶体表面所形成的空位 弗兰克尔 (Frenkel) 空位 脱位原子挤入晶格结点的间隙中所形成的空位 间隙原子 挤入间隙的原子 置换原子 占据在原来晶格结点的异类原子;?1-大的置换原子?? 2-肖脱基空位???3-异类间???原子??? 4-复合空位 5-弗兰克尔空位 6-小的置换原子;固体中点缺陷的类型 ;Frenkel 缺陷： 同时产生空位和填隙原子（或离子） 空位的数目与填隙原子数相等 正离子或负离子，可能性？;点缺陷;外来异价离子产生的点缺陷;由于过渡金属有多种价态，因而掺入杂质会引起晶格中金属离子价态的变化。;色中心(F中心);线缺陷;螺旋位错：晶面的生长并未中断 斜面地绕着一根轴线生长起来地，每绕轴线盘旋一圈，就上升一个晶面间距。;面缺陷;体缺陷 ;固体的电性质;非整比化合物;非整比化合物的类型 点缺陷是形成非整比化合物的重要原因 离子（或原子）的空位缺陷 Fe1-xO 氧离子按ccp排列，亚铁离子充满所有八面体空穴 实际上有一些位置是空的，而另一些位置（为了保持电中性）由Fe3+占据 实际氧化亚铁组成应在Fe1-xO（其中1-x在0.84～0. 95）之间。 Fe0.95O更确切表示为FeII0.85FeIII0.1O。 ;非整比化合物的类型 杂质离子的部分取代缺陷 当两种离子半径相差较小（? x ），结构相似，电负性相近时，则这两种离子可按任意比例进行取代。 PbZr1-xTixO3 Mg2- xZnxSiO4 填隙缺陷 PdHx ;非整比化合物;晶体化合物发生化学组成偏离是由于晶体内存在着原子或电子缺陷的关系。 非整比化合物是一类重要的材料:半导体、催化;导体、绝缘体和半导体;固体的能带结构与原子间距的关系;能带对固体导电性的影响;导体(conductor) 金属中有部分充满的能带时 Na (1s2,2s2,2p6,3s1) 元素周期表中第I族元素 碱土金属形成的晶体 ;半导体 从能带结构上来看，基本上同绝缘体相似，只是禁带较窄，一般在200kJ/mol以下。 可以依靠热激发把满带（价带）的电子激发到空带（从而成为导带） 于是半导体具有导电性能;金属、半导体和绝缘体的能带图;金属、半导体和绝缘体的导电率的差别;半导体的导电方式有两种： 电子导电:具有此种导电方式的半导体称为n型半导体; 空穴导电:具有此种导电方式的半导体称为p型半导体。 本征半导体和非本征半导体 本征半导体是纯物质 Ge和Si的禁带约60KJ/mol和100KJ/mol,是典型的半导体 III-V族化合物;非本征半导体 本征基质 在Si和Ge的晶格中掺入如P、AS等第V族或Ga、In等第III族元素。 掺入磷 n型导电;非本征半导体 非本征基