第三章电压测量.ppt

图3-28 双重屏蔽与浮置的电原理图 返回 图3-30 运算放大器的自动校零电路 返回 图3-31 双斜式A/D自动校零原理 返回 设待测电阻为Rx,其上压降为Vx,则有: 这样就将被测电阻Rx变换为相应的电压Vx进行测量。 为适应各种被测电阻阻值范围，可通过开关S2、S3改变电流I的大小（有4种组合）。 例：英国SOLARTRON公司7151型DMM的R/V变换器： 被测电阻范围 20MΩ 2MΩ 200KΩ 20KΩ 测试电流 100nA 1μA 10μA 100μA 若被测电阻大于20MΩ，则可通过开关S4接通-3V电源作为恒流管下拉电流通路来测量。 图3-18 (a)两线欧姆测量法 (b)四线欧姆测量法 测电阻时有两种连线方法：两线欧姆测量法和四线欧姆测量法 两线法测量时，测量的电压Vx包括两根导线上的压降，特别是被测电阻较小或者连线太长时,测量误差会很明显。 四线法测量时，用另外两根导线直接取Rx两端的电压测量（导线上无电流通过），可以减少测量误差。 §3.7 电压测量的干扰及其抑制技术 影响电压精密度的因素 1) 随机性干扰 如:DVM内部电子的热噪声、器件的散弹噪声等。 2) 确定性干扰 分为串模干扰和共模干扰两种,见图3-24。 串模干扰（Vnm）—干扰电压与被测电压串联地加到DVM 两个测量输入端之间。 共模干扰（Vcm）—干扰电压同时作用于DVM的两个输入端。 1.串模干扰的抑制方法 常见方法有两种:输入滤波法和积分平均法. 输入滤波法 利用低通滤波器滤除高频干扰，但会影响DVM对被测信号的响应速度，降低读数速度。 积分平均法 (1)积分式数字电压表对串模干扰的平均作用 设正弦波干扰电压为 T1内的平均值: 化简得： 为了抑制串模干扰，应使 =0，即该式中必有一个因子为零。 则满足下列条件之一，串模干扰就能被全部抑制: a)T1=kTn ; b)φ=(n-T1/Tn)×π (2)串模抑制比NMRR 因为干扰信号的初相角是随机的，则 的取值在-1和+1之间，考虑最不利情况取为“+1”，则 串模抑制比定义: 初相角为最坏情况时，可化简为: 注意上面两公式的应用区别！ 根据上式可画出积分式DVM对串模干扰的抑制特性，如图3-25所示，图中以T1为参变量。 关于NMRR的几点讨论: (1)当T1/Tn为整数时,NMRR=∝dB。这称为理想抑制条件; (2)当T1一定时,Tn越小（即fn越高）,对串模干扰抑制能力越强; (3)当干扰信号的周期偏离理想抑制点,NMRR急剧下降; (4)选择合理的φ也可以使串模干扰完全抑制. 2.共模干扰的抑制方法 通常DVM和被测信号源相距较远,需要较长接线,由于接地不良引入共模干扰 ，如图3-26所示。 因为Z1远大于其它电阻,最后一项可以忽略,于是: 共模抑制比定义： 将Vcn代入，得： 因为rcm远小于r2，所以 提高共模抑制比的措施： ①浮置DVM的低端; ②采用双端对称输入电路; ③浮置双端对称输入电路; ④采用双重屏蔽和浮置. 根据共模抑制比的定义有 假设Z2=1MΩ, r2=100Ω, 则CMRR=80dB （1）浮置DVM的低端 减小共模干扰影响的有效的方法是浮置低端，如图3-27所示。 因为Z1r1、rs，Z2r2、rcm，所以 Vcm分压到输 入端的电压为： 因为Z1r1、rs，Z2r2, Z3r2、rcm，所以： 因此： 假设Z2=Z3=1MΩ, r2=r3=100Ω, 则CMRR=160dB 所以，要提高CMRR，就要加大Z2、Z3，即将内部电路浮置和内屏蔽层浮置。 （2）DVM采用双重屏蔽和浮置 如图3-28所示。 整个DVM的抗共模干扰设计： 1）内、外双重屏蔽、隔离，测量输入采用屏蔽线； 2）模拟电路、数字电路之间通过脉冲变压器、光电耦合器传递信号，无电气通路，相互不会干扰； 3）模拟电路、数字电路分别有两套独立电源系统，完全隔离。 §3.8 电压测量中的自校正技术（简介） 一、自动校零技术 由于仪器内部器件（如 运放）的零点偏移及温度漂移 ，即使零输入时也有输出读数，产生测量误差。 消除方法：自动校零（硬件方法和软件方法） 1.硬件校零方法 1）动态校零的基本原理 图3-27 输入电压和失调电压同时被放大，而Ad×Vos 是非被测量部分，将要引起测量误差。 校零技术的原理就是在放大器的有关部位加一偏移