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第七章 金属和半导体的接触 若WmWs 金属与n型半导体接触时 2、金属半导体接触整流理论 （1）阻挡层的整流作用 以n型半导体为例： 接触电势差VS0 势垒高度qVD=-qVs 外加一个正电压V0 则势垒高度降低为qVD，=-q(Vs+V) 外加一个负电压V0 ，势垒高度增加。 （2）理论解释 ①扩散理论 对于n型阻挡层，当势垒的宽度远大于电子平均自由程，电子通过势垒区发生多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。 扩散理论适用于厚阻挡层。 计算通过势垒的电流时， 必须同时考虑漂移和扩散运动。 势垒区的电势分布是比较复杂的,当势垒高度远大于k0T时，势垒区可近似为一个耗尽层。 ②热电子发射理论 当n型阻挡层很薄，电子平均自由程远大于势垒宽度时，势垒的高度起绝对作用。 电流的计算归结为计算超越势垒的载流子数目。 ③镜像力和隧道效应的影响 镜像力的影响 隧道效应的影响 ④肖特基势垒二极管 肖特基势垒二极管： 利用金属-半导体整流接触特性制成的二极管。 肖特基势垒二极管与pn结二极管的区别： （1）多数载流子器件和少数载流子器件 （2）无电荷存贮效应和有电荷存贮效应 （3）高频特性好。 （4）正向导通电压小。 3.1 少数载流子的注入 3.2 欧姆接触 定义：不产生明显的附加阻抗，不会使半导体内部载流子浓度发生显著改变。 技术路线设计： 反阻挡层？ 隧道效应？ 半导体在重掺杂时，和金属的接触可以形成接近理想的欧姆接触。 在半导体上制作一层重掺杂区后再与金属接触。 * * 1、金属半导体接触及其能级图 （1）金属和半导体的功函数　 　 在绝对零度时，金属中的电子填满了EF以下所有能级，而高于EF的能级则全空, 在一定温度下，只有EF附近的少数电子受热激发，由低于EF的能级跃迁到高于EF的能级上，但绝大部分电子仍不能脱离金属而逸出体外。 这说明金属中的电子虽然能在金属中自由运动，但绝大多数所处的能级都低于体外能级,要使电子从金属中逸出，必须由外界给它足够能量。所以，金属内部电子是在势阱中运动。 金属的功函数Wm 金属的功函数表示一个起始能量等于费米能级 的电子，由金属内部逸出到表面外的真空中所需要的最小能量。 E0 (EF)m Wm E0为真空中电子的能量，又称为真空能级。 半导体的功函数Ws E0与费米能级之差称为半导体的功函数。 Ec (EF)s Ev E0 χ Ws χ表示从Ec到E0的能量间隔： 称χ为电子的亲和能，它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。 En Ep 式中： n型半导体： Ec (EF)s Ev E0 χ Ws En Ep p型半导体： Ec (EF)s Ev E0 χ Ws En Ep n型半导体： p型半导体： 设想有一块金属和一块n型半导体，并假定 金属的功函数大于半导体的功函数，即： （2）接触电势差 接触前： Ec (EF)s Ev E0 χ Ws En Wm (EF)m 半导体中的电子 金属 — + 接触后： 半导体一边的势垒高度为： 金属一边的势垒高度为： En Ec Ev (EF)s qVD qΦns Wm χ 金属与n型半导体接触 接触电势差Vs=Ws-Wm WmWs→形成表面势垒 势垒区电子浓度比体内小得多→高阻区(阻挡 层)。 界面处的势垒通常称为肖特基势垒。 Ec (EF)s Ev E0 χ Ws En Wm (EF)m En Ec Ev (EF)s qVD X-Wm 能带向下弯曲。这里电子浓度比体内大得多， 因而是一个高电导的区域，称之为反阻挡层。 金属与p型半导体接触时，若WmWs，形成空穴的表面势垒。在势垒区，空间电荷主要由电离受主形成，空穴浓度比体内小得多，也是一个高阻区域，形成P型阻挡层。 金属与p型半导体接触时，若WmWs，能带向 上弯曲，形成P型反阻挡层。 阻挡层 反阻挡层 WmWs 反阻挡层 阻挡层 WmWs p型 n型 上述金半接触模型即为Schottky 模型： 金属功函数对势垒高度影响不大。 不同金属，虽功函数相差很大，但与半导体接触 形成势垒的高度相差很小。 半导体表面存在表面态。 （3）表面态对接触势垒的影响 Ec (EF)s qΦns -q(Vs+V) qVD