第七章半导体存储器和可编程逻辑器件讲述.ppt

二、PLD的发展和分类 PROM是最早的PLD PAL 可编程逻辑阵列 FPLA 现场可编程阵列逻辑 GAL 通用阵列逻辑 EPLD 可擦除的可编程逻辑器件 FPGA 现场可编程门阵列 ISP-PLD 在系统可编程的PLD 三、LSI中用的逻辑图符号 FPLA 组合电路和时序电路结构的通用形式 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 组合电路和时序电路结构的通用形式 例子见P276 7.5 PAL（Programmable Array Logic） 一、基本结构形式 可编程“与”阵列+固定“或”阵列+输出电路 最简单的形式为： 二、编程单元 出厂时， 所有的交叉点均有熔丝 三、PAL的输出电路结构和反馈形式 1、专用输出结构 用途：产生组合逻辑电路 2. 可编程输入/出结构 用途：组合逻辑电路， 有三态控制可实现总线连接 可将输出作输入用 3. 寄存器输出结构 用途：产生时序逻辑电路 4. 异或输出结构 时序逻辑电路 还可便于对“与-或”输出求反 5. 运算反馈结构 时序逻辑电路 可产生A、B的十六种算术、逻辑运算 7.6 GAL（Generic Array Logic） 一、电路结构形式 可编程“与”阵列 + 固定“或”阵列 + 可编程输出电路 OLMC 二、编程单元 采用E2CMOS 可改写 GAL16V8 三、OLMC 数据选择器 7.8 FPGA（Field Programmable Gate Array） 一、基本结构 1. IOB 2. CLB 3. 互连资源 4. SRAM 1. IOB 可以设置为输入/出； 输入时可设置为：同步（经触发器） 异步（不经触发器） 2. CLB 可配置逻辑块：本身包含了组合电路和触发器，可构成小的时序电路，将许多CLB组合起来，可形成大系统 3. 互连资源 4. SRAM分布式每一位触发器控制一个编程点 二、编程数据的装载 数据可先放在EPROM或PC机中 通电后，自行启动FPGA内部的一个时序控制逻辑电路，将在EPROM中存放的数据读入FPGA的SRAM中 “装载”结束后，进入编程设定的工作状态 ！！每次停电后，SRAM中数据消失 下次工作仍需重新装载 7.9 PLD的编程 以上各种PLD均需离线进行编程操作，使用开发系统 一、开发系统 硬件：计算机+编程器 软件：开发环境（软件平台） VHDL, Verilog 真值表，方程式，电路逻辑图（Schematic）, 状态转换图（ FSM） 二、步骤 抽象（系统设计采用Top-Down的设计方法） 选定PLD 选定开发系统 编写源程序（或输入文件） 调试，运行仿真，产生下载文件 下载 测试 《数字电子技术基础》 《数字电子技术基础》电子课件 郑州大学电子信息工程学院 * 第七章 半导体存储器和可编程逻辑器件 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 输入/出电路 I/O 输入/出 控制 ！单元数庞大 ！输入/出引脚数目有限 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 7.2 ROM 7.2.1 掩膜ROM 一、结构 二、举例 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数” 掩膜ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 写入时，要使用编程器 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 7.2.4 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 地 址 数 据 A1 A0 D