断路器断口并联电容测量的基本原理及方法.pdfVIP

1 断路器断口并联电容测量的基本原理及方法 聂海全，邓 亚，关 晓，谷喜秀 （平高集团有限公司，河南 平顶山，467001） 摘要：断路器断口并联电容承担着多断口均压及抑制暂态恢复电压的重要作用，因此并联电容的可靠性至关重要，并联电容 出厂例行试验的主要手段有：工频耐压、局放、雷电冲击、电容量及介损测量。实践中发现，高品质的并联电容器，不但能 够耐受标准要求的工频耐压、雷电冲击，而且工频耐压、雷电冲击试验后，电容量及介损测值没有变化，劣质的并联电容器， 不但在耐受标准要求的工频耐压、雷电冲击时，容易击穿，而且勉强通过工频耐压、雷电冲击试验的电容器，也会造成电容 器劣化，表现为介损值变大，因此电容器介损测量尤为关键，这就要求电容器介损测量要准确，以免误判。电容、特别是单 根小电容小介损的测量过程中，测量工况不同，测量结果变化很大，甚至于显示负介损值，本文介绍介损测量的方法，分析 影响介损测量误差的因素，提出正确的测量方式。 关键词：电容；介损；测量 1 测量 tgδ的电路模型 1.1 介质损耗 绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质 极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗，叫介 质损耗。介质损耗的定义是： ％ 被测试品的无功功率 被测试品的有功功率 ＝介质损耗因数 100)( ? Q P tg? 如果取得试品的电流相量 UI ??和电压相量 ，则可以 得到图 1 相量图： 图 1-电容介损测量的原理模型 总电流可以分解为电容电流 Ic 和电阻电流 IR 合成，因此： %100%100 100)( ???? ? C R C R I I UI UI Q P tg ％＝介质损耗因数 ? 这正是损失角δ＝（90°－φ）的正切值。因此 现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者φ 得到介损因数。 1.2 介质的两种电路模型及与频率的关系 含有介损的电容器都可以模拟成 RC 串联和并 联两种理想模型进行分析： 图 2-并联模型 图 3-串联模型 （1）并联模型 认为损耗是与电容并连的电阻产生的，如图 2， 2 这种情况 RC 两端电压相等： 有 功 功 率 R U P 2 ? ， 无 功 功 率 2 2 /1 CU C U Q ? ? ?? 电容容抗 ，因此 %100 1 %100 ???? RCQ P tg ? ? 其中ω＝2πf，f 为电源频率。可见，如果真正 用一个纯电阻和一个纯电容模拟介损的话，它与频 率成反比。当 R=∞时，没有有功功率，介损为 0。 这种方法常用于模拟 10％以上的大介损，或用 于制做标准介损器。 （2）串联模型 认为损耗是与电容串连的电阻产生的，如图 3， 这种情况电路的电流相等： 有 功 功 率 RIP 2? ， 无 功 功 率 C I C IQ ?? 2 2 1 ??? 电容容抗 ，因此 %100%100 ???? RC Q P tg ?? 可见，如果真正用一个纯电阻和一个纯电容模 拟介损的话，它与频率成正比。当 R=0 时，没有有 功功率，介损为 0。 这种方法常用于模拟 10％以下的介损，或用于 制做标准介损器。 （3）固定频率下，模型不同，等效电容量不 同，但介损相同，如图 4。 实际试品在一个固定频率下，即可以用串连模 型也可以用并联模型表示。例如 50Hz 下，下面两 个电路对外呈现的特性完全一样： 图 4-固定频率下等效模型 通常认为介损在 10％以上时，并联模型更接近 实际情况，这是因为有功电流穿过电极之间的绝缘 层，更象是损耗电阻并联在电极之间。当介损在 1％ 以下时，这种电容量的差别很小。 2 常用测量 tgδ的电桥和介损仪工作原理 及接线方式 2.1 西林电桥 电桥的标准通道输入标准电容器 Cn（一般标准 电容的绝缘介质为 SF6 气体，SF6 气体绝缘介损可 以认为 0%）的电流、试品通道输入试品 Cx 与 Rx 串联电流，见图 5。 图 5-西林电桥电路模型 加工频高压 U，调节 R3、C4 使电桥平衡，此 时 a、b 两点电压相等，即 R3、C4 两端电压相等。 因为交流电路中电容阻抗为 Cj 1 ? 。电路中 R4、 C4 的 并 联 阻 抗 为 两 者 倒 数 和 的 倒 数 3 441 4 4 4 1 1 4 1 1 4 1 1 Cjωω R jωω R jωω R ? ? ? ? ? 按阻抗元 件分压原理，不难得到： U CnjCRj R CRj R UbU RRx Cxj R Ua ?? ? ? 1 441 4 441 4 3 1 3 ? ? ? ?? ?? ? 两边取倒数得： Cn C Cn