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应变传感器,7.8M

机电类 《自动检测技术及应用》 多媒体课件 (共13章,第二章,第1节) 统一书号:ISBN 978-7-111-34300-4 课程配套网站 或 2012年7月版 第二章 电阻传感器 本章介绍各种电阻式传感器的原理及应用,包括:应变效应、电阻应变片、非平衡电桥、压阻传感器、测温热电阻、气敏电阻、湿敏电阻、防爆传感器等。本段课件介绍第二章的第一节(电阻应变传感器)的内容。包括:应变片工作原理、应变片的种类、结构与粘贴 、应变片的测量转换电路 、应变效应的应用、荷重传感器 、扭矩、压阻式固态压力传感器 等。 应变效应及应变片 应变片的测量转换电路 应变效应的应用 压阻式固态压力传感器 第二章,第一节应变传感器 目录 第一节 电阻应变传感器 导体或半导体材料在外界力的作用下,会产生机械变形,其电阻值也将随着发生变化,这种现象称为应变效应。 电阻应变传感器主要由电阻应变片、弹性元件及测量转换电桥电路等组成。 介绍应变效应、应变片的基本原理和分类,非平衡电桥的特点、调零及温度补偿,荷重传感器、汽车衡、力矩传感器,压阻式固态压力传感器,投入式液位计等。 应变原理演示 金属丝受拉时,l 变长、r 变小,导致R变大 。 一、应变片的工作原理 1-拉伸前 2-拉伸后 电阻丝受拉后,长度增加,直径变小,电阻变大。 应变片的结构 1-引出线 2-覆盖层 3-基底 4-电阻丝 l :应变片的工作基长, b :应变片基宽, b×l:应变片的有效使用面积。 金属丝受拉后的电阻变化 设有一长度为l、截面积为A、半径为r、电阻率为? 的金属单丝,它的电阻值R及相对变化可表示为 当沿金属丝的长度方向作用均匀拉力(或压力)时,上式中?、r、l都将发生变化,从而导致电阻值R发生变化。 当金属丝受拉时,l 将增加、r 变小,均导致R变大。 半导体受拉后的电阻变化 某些片状半导体受拉或受压时,(Δ?/?)/?x(称为压阻系数)有较大的变化, 导致半导体的体电阻R变大或变小,称为压阻效应。具有较大的灵敏度、非线性和温漂。电阻相对变化为: 式中: 晶体 导电类型 电阻率(Ω.m) π11 π 12 π 44 Si P N 7.8 11.7 +6.6 -102.2 -1.1 +53.4 +138 -13.6 受拉时,N型硅的灵敏度Ks是负的,而P型硅的Ks是正的。不同的切片方向的Ks也有所不同,见下表。P型硅的π14方向切片的灵敏度较高,约为金属的70倍。 应变片的电阻相对变化量与力的关系 应变片中的电阻丝的电阻相对变化量?R/R,与材料力学中的轴向应变?x的关系在很大范围内是线性的,即 ?x =F/(AE),设K为灵敏度,金属材料的面积为A,弹性模量 为E,则? R/R又可表示为 设应变片牢固粘贴在被测试件上,与试件有相同的轴向应变及径向应变,应变片的灵敏度K、试件的横截面积A以及材料的弹性模量E均为已知,则只要设法测出应变片的ΔR/R值,即可获知试件受力F的大小。依此原理,可用于测量拉力和物体的称重等。 微应变(?ε) 对于不同的金属材料,K 略有不同,一般为2左右。而对半导体材料而言,由于其感受到应变时,电阻率? 会产生很大的变化,所以灵敏度比金属材料大50~200倍。 在材料力学中,?x=?l/l称为电阻丝的轴向应变,也称纵向应变。 ?x通常很小。例如,当?x为0.000001(10-6)时,在工程中常表示为1?m/m或 1微应变(1 ? ?)。 对金属材料而言,受力之后所产生的轴向应变最好不要大于1?10-3,即应小于1000?m/m(1000 ? ?),否则有可能超过材料的极限强度而导致非线性或断裂。 应变片的分类 应变片可分为金属应变片及半导体应变片两大类。前者可分成金属丝式、箔式、薄膜式等。 a)金属丝式 b)金属箔式 c)金属箔式外形 d)半导体应变片 1-电阻丝 2-金属箔 3-半导体 4-基片 5-引脚 6-定位标记 7-金丝 金属丝式应变片的结构 金属丝式与箔式应变片的区别 金属丝式应变片蠕变较大,金属丝易脱胶,逐渐被箔式所取代。但金属丝式应变片价格便宜,多用于大批量、一次性试验。 箔式应变片中的箔栅是金属箔通过光刻、腐蚀等工艺制成的。箔式应变片与片基的接触面积大得多,散热条件较好,在长时间测量时的蠕变较小,一致性较好,目前广泛用于电子秤等各种应变式传感器中。 焊接温度250℃ 不同测量方向的金属箔式应变片图形 . 半导体应变片 以N型和P型硅为基底,利用扩散、外延和薄膜工艺制成的

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