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磊晶-南臺科技大學知識分享平台EshareInfo
指導教授：王文峰
學 生：林俊榮
學 號 班 級：奈米四甲
磊晶之目的
磊晶之製程
磊晶之設備
何謂磊晶
磊晶生長(Epitaxy)
同質磊晶
異質磊晶
磊晶成長是為了提升元件性能，導引出晶圓單晶無法達到的新功能。
半導體能隙 晶格常數
氣相磊晶 [Vapour Phase Epitaxy , VPE]
液相磊晶 [Liquid Phase Epitaxy , LPE]
分子束磊晶 [Molecular Beam Epitaxy , MBE]
是在單晶襯底的生長界面上，從已經飽和溶質的溶液中定向生長出
晶體薄層的方法
利用化學反應的方式，使得氣體反應物生成固態生成物，並沉積在晶
片表面的一種薄膜沉積技術。
在極高的真空狀況(~10-10torr)，以一種或多種原子或分子的熱束和結晶表面反應而完成。
分子束磊晶法是一種蒸發過程而非化學氣相沉積。
磊晶生長速率與原料氣體的種類、溫度、壓力及濃度等因素有關
桶型反應器
常壓系統(一大氣壓)
Si晶圓是放置於渡
SiC的石墨感測器上。
晶圓朝反應器底部方向
突出，以增加反應氣體
流於晶圓表面的均勻度
CVD原理
反應氣體傳送到反應器磊晶生長區域內
↓
反應產物傳送到晶片表面
↓
反應產物被晶面表面吸收
↓
在晶面表面發生化學反應
表面擴散、晶格崁入
↓
由晶面表面釋出殘留氣體及副產物
↓
將殘留氣體及副產物傳送到主氣流中
↓
將殘留氣體及副產物傳送到反應器外
MOCVD
MBE
是六十年代末在真空蒸發的基礎上
發展起來一套成長極薄單晶薄膜的新技術
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