《模拟电子基础》第一章讲稿.ppt

教材: 童诗白 《模拟电子技术基础》 主讲: 蒋宏 14 (O) 新主楼 E1115 Communication 绪 论 一、课程的地位和主要内容 电子技术——研究电子器件、电子电路 及其应用的科学技术。 　　　　器件为路用 绪论 模拟信号： 在时间和数值上连续的信号。 计算机检测控制系统原理框图 绪论 二、电子技术的典型应用 三、如何学好模电 绪论 课程特点：内容多、内容杂、工程实践性强 1、抓“重点” 2、注重综合分析 注重工程化素质培养 3、提高学习效率、培养自学能力 课堂、答疑、作业、自学 放大器、反馈、振荡器 四、模电成绩如何算 作业：１０％ 期末考试：９０％ 参考课堂和答疑表现 作业：每周交 1 次，全交，有参考解答 内容提要 半导体器件是组成各种电子电路——包括模拟电路和数字电路，集成电路和分立元件电路的基础。本章首先介绍半导体的特性，半导体中载流子的运动，阐明PN结的单向导电性，然后介绍半导体二极管、稳压管、半导体三极管及场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。 第一章 常用半导体器件 1.2 半导体二极管 1.3 稳压管 1.4 半导体三极管 1.5 场效应管 1.1 半导体基础知识 1.1.1 半导体的特性 一、定义 导电能力介于导体和绝缘体之间的物体称半导体。 如：硅（Si）、锗（Ge）等 价电子：围绕原子核运动的最外层轨道的电子 导体: 低价元素 绝缘体:高价元素 硅（Si）、锗（Ge）：４个价电子 1.1半导体基础知识 价电子 惯性核 二、半导体特性 温度??导电能力??可做成各种热敏元件 受光照?导电能力??可做成各种光电器件 3. 掺入微量杂质?导电能力? ? ? ? （几十万~几百万倍）?可做成品种繁多、用途广泛的半导体器件。如半导体二极管、三极管、场效应管等。 纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶 称为本征半导体。它是共价键结构。 1.1.2 本征半导体 相邻原子的价电子成为共用电子，即共价键结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 在常温下自由电子和空穴的形成 成对出现 成对消失 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 外电场方向 在外电场作用下，电子和空穴均能参与导电(载流子)。这是半导体导电与导体导电最本质的区别。 价电子填补空穴 本征激发 —— 价电子受热及光照后， 挣脱共价键束缚成为自由电子。 激励 (温度和光照)一定时，电子空穴对的产生和复合会达到“动态平衡”。 注意 本征半导体中载流子的浓度除与半导体材料本身的性质有关外，还与温度密切相关。半导体材料性能对温度的这种敏感性，既可用来制造热敏和光敏器件，又是造成半导体器件温度稳定性差的原因。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 1.1.3 杂质半导体 一 、N 型半导体 自由电子 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入微量特定元素，便可形成杂质半导体。 在纯净的硅或锗晶体中掺入微量五价元素（如磷）所形成的杂质半导体称N型半导体。 N型半导体结构示意图 在N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 二、P型半导体 在纯净的硅或锗的晶体中掺入微量的三价元素（如硼）所形成的杂质半导体称P 型半导体。 +4 P型半导体结构示意图 在P型半导体中，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 对于杂质半导体，多子浓度约等于所掺杂质浓度，多子浓度受温度影响小； 少子（本征激发）浓度受温度影响大； 注意 注意 不论是N型半导体还是P型半导体，虽然它们都有一种载流子占多数，但整个晶体仍然是不带电的，呈电中性。通过掺入杂质来提高半导体的导电能力不是最终目的，因为导体的导电能力更强。杂质半导体的奇妙之处在于，掺入不同性质、不同浓度的杂质，并使P型和N型半导体采用不同的方式结合，可以制造出形形色色、品种繁多、用途各异的半导体器件。 　载流子的两种运动： 扩散——载流子在浓度差作用下的运动 　载流子总是从高浓度向低浓度扩散 飘移——载流子在电场作用下的运动 　电子逆电场方向运动 　空穴顺电场方向运动 P 区 N 区 1.2.1 PN 结的形成 采用不同的掺杂工艺，在同一块半导体单晶上形成 P型半导体 和N型半导体，在它们的交界面处就形成了一个PN 结。 空间电荷区 内电场方向 1.2