6存储器和可编程逻辑器件m解剖.ppt

第6单元 存储器和可编程逻辑器件;学习目的与要求;6.1 存储器概述;6.1. 1 存储器的定义;6.1.3 存储器的主要性能指标; 计算机内存的存取速度取决于内存的具体结构及工作机 制。存取速度通常用存储器的存取时间或存取周期来描述。 所谓存取时间，就是指启动一次存储器从操作到完成操作 所需要的时间；存取周期是指两次存储器访问所需的最小 时间间隔。存取速度是存储器的一项重要参数。一般情况 下，存取速度越快，计算机运行的速度才能越快。 ;一种新款电脑的硬盘存储容量是20GB，它相当于多少千字节？ ; 只读存储器ROM的结构方框图与RAM相似。ROM将RAM的读写电路改为输出电路；ROM的存储单元由一些二极管、MOS管及熔丝构成，结构比较简单。; 1、 ROM的结构组成; 2、各部分的功能;存储矩阵： 存储矩阵是ROM的核心部件和主体，内部含有大量的存储单元电路。存储矩阵中的数据和指令都是用一定位数的二进制数表示的。存储器中存储1位二值代码（0或1）的点称为存储单元，存储器中总存储单元数即为ROM的存储容量。 例如图所示ROM中，假设通过地址译码器输出的字线数2n＝210＝1024根，因为位线＝8，所以，总存储容量应是1024×8＝8192个存储单元，简称8KB。;读写控制电路： 读/写控制电路也称为输出缓冲器，它是为了增加ROM的带负载能力，同时提供三态控制，将被选中的M位数据输出至位上，以便和系统的总线相连。 ; 6.2.2 ROM的工作原理; 图中存储矩阵有4条字线W0～W3和4条位线D0～D3，共有16个交叉点，每个交叉点都可看作是一个存储单元。交叉点处接有二极管时相当于存入“1”，没有接二极管时相当于存入“0”。例如，字线W0与位线有四个交叉点，其中只有两处接有二极管。当W0为高电平、其余字线为低电平时，使位线D0和D2为“1”，这相当于交叉点处的存储单元存入了“1”，另外两个交叉点由于没有接二极管，位线D1和D3为“0”，相当于交叉点处的存储单元存入了“0”。 ; 图中存储矩阵有4条字线W0～W3和4条位线D0～D3，共有16个交叉点，每个交叉点都可看作是一个存储单元。交叉点处接有二极管时相当于存入“1”，没有接二极管时相当于存入“0”。例如，字线W0与位线有四个交叉点，其中只有两处接有二极管。当W0为高电平、其余字线为低电平时，使位线D0和D2为“1”，这相当于交叉点处的存储单元存入了“1”，另外两个交叉点由于没有接二极管，位线D1和D3为“0”，相当于交叉点处的存储单元存入了“0”。 ; ROM中存储的信息究竟是“1”还是“0”，通常在设计和制造时根据需要已经确定和写入了，而且当信息一旦存入后就不能改变，即使断开电源，所存信息也不会丢失。 图示电路中，输入地址码是A1A0，输出数据是D3D2D1D0。输出缓冲器用的是三态门，三态门有两个作用，一是提高带负载能力；二是实现对输出端状态的控制，以便和系统总线的连接。 ; 图中地址译码器中的“与”门阵列的输出表达式如下： W0＝A1A0 W1＝A1A0 W2＝A1A0 W3＝A1A0 存储矩阵是一个“或”门阵列，每一列可看作一个二极管“或”门电路，“或”门输出表达式为： D0＝W0＋W2 D1＝W1＋W2＋W3 D2＝W0＋W2＋W3 D3＝W1＋W3 ;ROM输出信号真值表; 简化的ROM矩阵阵列图; 前面所讲电路用简化符号表示后为：; 6.2.3 ROM的分类; 2、现场编程PROM; 任意一个逻辑函数都可以写成与-或表达形式，因此可编程逻辑器件PROM的与阵列可采用一个有2n个地址译码的与门阵列，分别对应一组特定的输入A1~An-1，或阵列中的每一个或门均对应2n根字线的可编程交叉点，如图示：; 前面已经讲到，PROM可编程逻辑器件的存储单元利用其内部熔丝是否被烧断来写入数据的，因此只能写入一次。目前使用的EPROM可多次写入，其存储单元是在MOS管中置入浮置栅的方法实现的。;字线; EPROM利用光照抹掉写入内容大约需要30min左右时间。为了缩短抹去时间，人们研制出了电擦除方式。电擦除的速度一般为ms数量级，其擦除的过程就是改写的过程，电改写以字为单位进行，电改写的E2PROM既可以在掉电时不丢失数据，又可以随时改写写入的数据，重复擦除和改写的次数高达1万次以上;5、快闪存储器FMROM; 6.2.4 ROM的应用; ROM有哪些种类？试述各种类型ROM的特点。;6.3 随机存取存储器（RAM）; 为区分存储矩阵的每个存储单元，首先要为这些存储单元进行编号，即分配给各存储单元