EXPERIMENTAL ANALYSIS AND PHYSICAL MODEL INVESTIGATION OF TDDB OF THIN GATE OXIDE.pdf

薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究 刘红侠 方建平 郝 跃 （西安电子科技大学微电子研究所，西安 !##! ） （ $### 年 月 $% 日收到） 通过衬底热载流子注入技术，对薄 ’( $ 层击穿特性进行了研究 ) 与通常的 *+, 应力实验相比较，热载流子导致 的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性 ) 通过计算注入到氧化层中的电子能量和硅衬底的电场的关系表明，热 电子注入和 *+, 隧穿的不同可以用氧化层中电子的平均能量来解释 ) 热空穴注入的实验结果表明薄栅氧化层的击 穿不仅由注入的空穴数量决定 ) 提出了全新的热载流子增强的薄栅氧化层经时击穿模型 ) 关键词：薄栅氧化层，经时击穿，衬底热载流子，击穿电荷，模型 !## ： !-.#/ ， #!# 引 言 集成电路以高速化和高性能化为目标，实现着 进一步的微细结构 ) 随着微细结构在工业上的实现， 降低成本和提高集成度成为可能 ) 另一方面，随着 0( 集成电路微细化的发展，栅氧化层向薄栅方向 发展，而电源电压却不宜降低，这使栅氧化层工作在 较高的电场强度下，从而使栅氧化层的抗电性能成 为一个突出的问题 ) 栅氧抗电性能不好将引起 0( 器件电参数不稳定，进一步可引起栅氧的经时击穿 1223 （ 4’56 768697694 7’6:6;4’; =6?7@A9 ） ) 栅氧击穿 作为 0( 电路的主要失效模式已成为目前国际上 关注的热点 ) 虽然借助于 0( 电容，对栅氧化层的 1223 击 穿进行了深入、广 泛 地 研 究［ B C］，对 于 *+, （ *A@:6 ,A7D6’5 ）隧穿应力条件下的栅介质击穿给出了很 好的解释 ) 但是，在通常的栅氧击穿研究中，仅仅考 虑载流子以 *+, 隧穿的方式进入 ’( $ ；而在 0( 器 件的实际工作中，往往会在漏端附近的沟道区域或 沟道耗尽层中形成高电场，载流子在该高场中被加 速成为热载流子而注入到栅氧化层，会对器件的栅 氧击穿产生严重影响 ) 处于实际工作状态中的 0(+ *E1 ，由于其所受的应力条件不同于 *+, 隧穿时的 应力条件，此时载流子向氧化层中的注入是以热载 流子发射而跨越界面势垒为主的 ) 因此在这种情况 下，要准确预测 ! 中 0( 器件的栅氧寿命，则必须 考虑热载流子注入对氧化层击穿的影响 ) 本文 利 用 衬 底 热 载 流 子 注 入 技 术，分 别 对 ,0(*E1 器件和 9 阱 F0(E1 进行了衬底热电子 /E （ GH=G446 DA4 6:6;4A9G ）和衬底热空穴 // （ GH=+ G446 DA4 DA:6G ）的注入效应的研究 ) 通过对于实验结 果的分析和讨论，得出了 /E 注入和 // 注入引起 的介质击穿的物理本质，提出热载流子效应增强的 1223 模型 ) $ 衬底热电子增强的 1223 效应 $ % 实验条件 在本实验中应用的器件，采用无锡华晶公司提 供 9 沟 0(*E1 ，器件的沟道长度为 I$ ! 5 ，沟道宽 度为 C# ! 5 ，栅氧化层的厚度为 # 95 ，衬底采用取 〈 ## 〉方向的 8 型 ’ 材料 ) 图 表明了在进行 /E 注入的实验时各极的电压偏置条件情况 ) 为了能在 衬底中的耗尽层内产生雪崩倍增的载流子，在器件 的衬底上施加了一个大电压，从而形成了一个加在 衬底耗尽层上的高场 ) 雪崩倍增生成的电子在耗尽 层中得到了加速，电子能在电场中获得足够大的能 量，注入到氧化层中 ) 在实验中，以栅电流 ! J 为监测量，用 /F%C.3 半导体参数分析仪进行编程控制来实现对 0( 器 件的测量，以下所有的数据结果都是用 /F%C.3 及 与之配套的探针台所测得的 ) 第 C# 卷 第 . 期 $## 年 . 月 ###+-$K#L$##LC# （ #. ） L!$+#. 物 理 学 报 MN1M F/OPNM P,PNM QA:)C# ， ,A). ， RH96 ， $## !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! $## ND’9) FDSG) A;) 图 ! 衬底热载流子效应（ ! #$ % ） ! ! ! # $ 特性 图 ’ 表明在栅电压和衬底电压的大小一定时， 栅电流与时间的关系 ( 从图中可以发现，栅电流在开 始阶段随着时间的增加开始有所减小，先减小的原 因是注入到栅氧化层，电子被陷阱所俘获，成为陷阱 电荷，从而穿过氧化层的形成栅氧化层电流的电子 数量就会减小 ( ) ’*++, 后有一个突然的增加，达 到 +-. / ! 0 + 1 的量级，氧化层发生准击穿，称这种 电流的突变为热电子引起的击穿 2345 （ 6789:;:8