基于LTCC工艺的设计规范例析.docVIP

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  • 2017-04-20 发布于湖北
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基于LTCC工艺的设计规范总结 1.材料特性 特性相关参数值1.相对介电常数Er:5.9±0.2@(1~100GH)2.介质损耗角正切:0.002 @(1~100GHz)3.电阻率:at 100DVCΩ5.层数:最多30层6.每层层厚:0.1mm7.导体厚度:0.01mm8.孔径:最小直径0.1mm 可选6mil 8mil 10mil 12mil9.密度:Density3.210.镀金属:铜(Cu)顶层:嵌入其中,中间层:上下各嵌入50% 过孔镀银(Ag)11.基板尺寸(最大)105mm×105mm12.生瓷片精度横向平面精度:±5um 众向生瓷精度:±10um 2.导体线宽和间距 建议尺寸 最小尺寸 ABC顶层45um45um45um内层100um100um100um Note: 可能的情??下推荐更大的间距,密度过大或者焊盘过近将造成潜在的短路问题 相关参数: 网印最小线宽/间距 100um/100um 直描最小线宽/间距 50um/75um 蚀刻最小线宽/间距 45um/45um 3.导体到基板边缘的间距/和腔体间隙 推荐尺寸

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