- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第4章 嵌入式系统 的存储器系统;教学目的
1)了解常见嵌入式系统存储器;
2)学习ROM和SRAM型存储器扩展方法;
3)学习NOR FLASH和NAND FLASH存储器接口方法;
4)学习SDRAM存储器接口方法;4.1 存储器系统概述;4.1.2 高速缓冲存储器;4.1.3 存储管理单元(MMU);
嵌入式系统中常常采用页式存储管理。
页式存储管理:把虚拟地址空间分成一个个固定大小的块,每一块称为一页,把物理内存的地址空间也分成同样大小的页。MMU实现的就是从虚拟地址到物理地址的转换。
页表是存储在内存中的一个表,页表用来管理这些页。
页表的每一行对应于虚拟存储空间的一个页,该行包含了该虚拟内存页对应的物理内存页的地址、该页的方位权限和该页的缓冲特性等。
从虚拟地址到物理地址的变换过程就是查询页表的过程。
例如在ARM嵌入式系统中,使用系统控制协处理器CP15的寄存器C2来保存页表的基地址。
; 嵌入式系统支持的内存块大小有以下几种:
段 (section)大小为1MB的内存块;
大页(Large Pages)大小为64KB的内存块;
小页(Small Pages)大小为4KB的内存块;
极小页(Tiny Pages)大小为1KB的内存块。
极小页只能以1KB大小为单位不能再细分,而大页和小页有些情况下可以在进一步的划分。;
MMU中的域指的是一些段、大页或者小页的集合。每个域的访问控制特性都是由芯片内部的寄存器中的相应控制位来控制的。
例如在ARM嵌入式系统中,每个域的访问控制特性都是由CP15中的寄存器C3中的两位来控制的。
MMU中的快速上下文切换技术(Fast Context Switch Extension, FCSE)通过修改系统中不同进程的虚拟地址,避免在进行进程间切换时造成的虚拟地址到物理地址的重映射,从而提高系统的性能。
;4.2.1 存储器部件的分类;内 存
内存是计算机主机的一个组成部分,一般都用快速存储器件来构成,
内存的存取速度很快,但内存空间的大小受到地址总线位数的限制。
内存通常用来容纳当前正在使用的或要经常使用的程序和数据
CPU可以直接对内存进行访问。
系统软件中如引导程序、监控程序或者操作系统中的基本输入/输出部分BIOS都是必须常驻内存。
更多的系统软件和全部应用软件则在用到时由外存传送到内存。
;外 存
外存存放的是相对来说不经常使用的程序和数据
容量大,速度相对内存较慢
常见的外存有软盘、硬盘、U盘、光盘等
CPU要使用外存的这些信息时,必须通过专门的设备将信息先传送到内存中;2.按存储介质分类;3.按信息存取方式分类;4.2.2 存储器的组织和结构;4.2.3 常见的嵌入式系统存储设备;2.ROM(只读存储器)
ROM断电后数据不丢失,但速度较慢,适合存储需长期保留的不变数据。在嵌入式系统中,ROM用于固定数据和程序。常见ROM有:
Mask ROM(掩模ROM,厂家一次性写入用户无法修改)
PROM(Programmable ROM,可编程ROM,用户一次性写入)
EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦写ROM,
紫外光可重复擦除和写入)
EEPROM(电可擦除可编程ROM,也可表示为E2PROM,电擦除)
Flash ROM(闪速存储器,可快速读取,电可擦写可编程);3.Flash Memory
Flash memory(闪速存储器)是一种非易失性存储器( NVM:Non-Volatile Memory)
是嵌入式系统中重要的组成部分,用来存储程序和数据,掉电后数据不会丢失
根据结构不同分成 NOR Flash和NAND Flash两种
Flash Memory在物理结构上分成若干个区块,区块之间相互独立
NOR Flash把整个存储区分成若干个扇区(Sector);
NAND Flash把整个存储区分成若干个块(Block);
可以对以块或扇区为单位的内存单元进行擦写和编程。; NOR Flash 和 NAND Flash 特性
NAND Flash执行擦除操作是十分简单的,而NOR型内存则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0
擦除时间:NOR Flash执行一个写入/擦除操作的时间为5s;
NAND Flash相同操作最多只需要4ms(快小+高速)
NOR Flash的读速度比NAND Flash稍快一些,NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多。
应用程序可以直接在NOR Flash内
您可能关注的文档
- 第13课挑战教皇的权威.定稿教程范本.ppt
- 第8章1相平衡教程范本.ppt
- 灯具产品培训教程范本.ppt
- 第4章基于单片机的控制器教程范本.ppt
- 第4章计算机网络局域网教程范本.ppt
- 第4章建筑供配电网络教程范本.ppt
- 第13章供配电技术教程范本.ppt
- 灯具品牌调研教程范本.ppt
- 等高线教程范本.ppt
- 第8章VHDL设计深入教程范本.ppt
- 六中分班考试试卷语文及答案.doc
- 学霸笔记 北师大版 六上 前2个单元.pdf
- 统一考试试题及答案.doc
- 2025年沪教版小学美术四年级上册《第七单元》大单元整体教学设计(2022课标).docx
- 工厂生产线岗位安全操作规程考试题目及解析.docx
- 高中物理核心公式_定义、规律与应用全面解析指南.docx
- 2025年基于证据的教师增值评价走向智能时代的教学效能评测.docx
- 人教版八年级数学上册第十五章《轴对称》大单元教学设计.docx
- 2025年人美版高中美术选择性必修雕塑《第一单元发现雕塑之美》大单元整体教学设计(2022课标).docx
- 2025年苏教版高中化学有机化学基础《专题5药物合成的重要原料——卤代烃、胺、酰胺》大单元整体教学设计(2022课标).docx
最近下载
- 京东客服客服话术和自动回复语大全.pdf VIP
- 入党志愿书(A4打印版).pdf VIP
- 入党志愿书_打印__电子版__A3A4双面.pdf VIP
- 儿童社会性发展.ppt VIP
- 2025年事业单位工勤技能-重庆-重庆环境监测工一级(高级技师)历年参考题典型考点含答案解析.docx VIP
- 2024年秋季新人教版七年级上册英语全册教案.docx
- 国际税收讲义(人民大学_朱青).ppt VIP
- 2025年事业单位工勤技能-重庆-重庆环境监测工四级(中级工)历年参考题库含答案解析.docx VIP
- 2023年重庆市环境系统事业单位人员招聘考试模拟试题及答案解析.docx VIP
- 2023年重庆市环境系统事业单位人员招聘考试题库及答案解析.docx VIP
原创力文档


文档评论(0)