第八讲_半导体的导电性212教程范本.ppt

第二章 材料的电学性能;本章内容;半导体的电学性能;半导体的特点及应用;我国目前的半导体工业;第三节 半导体的导电性;1. 半导体材料及其能带;;金刚石、硅和锗的对比;硅和锗是两类十分重要的元素半导体;锗;硅; 具有良好的热导率和高温力学性能、优异的半导体性质，可以稳定地制备大直径无位错的单晶。世界上几乎所有的集成电路都是单晶硅制成的，而且集成电路用硅占单晶硅整个用量的 80 % 以上。此外，绝大多数的电力电子器件 (可控硅、整流器等)、功率晶体管都是单晶硅制成的。;化合物半导体; 砷化镓具有闪锌矿结构。也就是和硅、锗具有相似的结构。 优点：工作温度较高，承受的电压较大，可以在更高的频率下工作，有较好的抗辐射能力等 缺点：提纯和制备 GaAs 单晶比硅困难得多，GaAs 的寿命也比较短。 GaAs目前只用于 一些特殊的场合，如航空、航天领域等。;化合物半导体;半导体材料的制备;第三节 半导体的导电性;2. 导电机制;;禁带宽度可以用实验方法测定;于是，本征半导体的电导率可以写成;半导体的性能是由导带中的电子数和价带中的空穴数决定的 电子和空穴可以借助于热、电、磁等形式的能量激发产生，称为本征激发；相应形成本征半导体 电子和空穴也可以借助于引进杂质元素而激发，称为非本征激发；相应形成非本征半导体 (杂质半导体);杂质半导体;n型半导体;;被施主杂质束缚住的多余电子所处的能级称为施主能级 施主能级位于离导带很近的禁带 施主能级上的电子吸收少量的能量△ED后可以跃迁到导带;掺入第III族元素(如铟In,镓Ga,铝Al)，晶体只需要很少的能量 △EA Eg 就可以产生自由空穴;被受主杂质束缚的空穴所处的能级称为受主能级 受主能级位于靠近价带EV的禁带中 空穴获得较小的能量△EA后就能反向跃迁到价带成为导电空穴;杂质半导体的特点;计算题;杂质半导体的电阻率随温度的变化关系;第三节 半导体的导电性;3. 半导体PN结;;;扩散运动被抑制，只存在少数载流子的漂移运动;扩散 漂移;pn结二极管的整流效应;与PN结直接相关的半导体器件;与PN结间接相关的半导体器件;第三节 半导体的导电性; 四探针法 霍尔效应法 扩展电阻法 伏安法（I-V） 电容-电压法（C-V）;四探针法;材料学院A305室;霍尔效应法;第三节 半导体的导电性;5. 应用领域;半导体照明（LED);超晶格——发光二极管的核心;正向偏压使 pn 结形成一个增益区： ——导带主要是电子，价带主要是空穴，实现了粒子数反转 ——大量的导带电子和价带的空穴复合，产生自发辐射光;太阳能电池;太阳能电池：;小结