4场效应管讲义.pdf

模拟电子线路第三讲(2) 场效应三极管(FET) 内容纲要 ? 1 概述 ? 2 MOS管 ? 3 结型场效应三极管 ? 4 场效应三极管的参数 ? 5 场效应管应用的特点总结 ? 6 BJT和FET的比较 1 概述 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参 与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输 出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划 分，有自由电子作为载流子的N沟道器件和空穴 作为载流子的P沟道器件。 特点： 几百MΩ~1GΩ ? 输入阻抗高 ? 内部噪声小，温度稳定性好 ? 易集成，工作频率高，功耗低 1.金属氧化物半导体场效应三极管MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET） ? 也称为绝缘栅型场效应管 （ Insulated-Gate FET，IGFET ） ? 其他：VMOS、CMOS、ΠMOS 2. 结型场效应三极管JFET (Junction Field Effect Transistor) ? PN结型JFET ? 金属-半导体场效应三极管MESFET (Metal-semiconductor field-effect transistor) 2 MOS管 MOSFET共有两类、四种类型： 增强型 → N沟道、P沟道 耗尽型 → N沟道、P沟道 D D D D G G G G S S S S N沟道增强型 N 沟道耗尽型 P 沟道增强型 P 沟道耗尽型 2.1 N沟道增强型MOSFET (1) 结构 N沟道增强型MOSFET基本上是一种 左右对称的拓扑结构，它是在P型半 导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然 后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型 区，从N型区引出两个电极：一个是漏极D ( Drain )，相当 于BJT的集电极C；另一个是源极S(Source)，相当于BJT的 发射极E。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为 栅极G ( Gate ) ，相当于BJT的基极B 。P型半导体称为衬 底，用符号B表示。 (2) 工作原理 ① 栅源电压VGS的控制作用 当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管， 在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VT （称为开启电压) 时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近 栅极下方的 P 型半导体中的空穴向下方排斥， 出现了一层薄的负离子层。P型半导体中的 少子向表层运动，但数量有限，不足以形成 沟道从而将漏极和源极沟通，所以不可能形 成漏极电流ID。 进一步增加VGS，当VGS＞VT时， 此时的栅极电压已经比较强，在靠近 栅极下方的P型半导体表层中聚集较 多的电子，形成导电沟道，将漏极和 源极沟通。如果此时加有漏源电压， 就可以形成漏极电流ID。在栅极下方 形成的导电沟道中的电子，因与P型 半导体的多子空穴极性相反，故称为 反型层。 要点：在VGS=0V时，ID=0。 只有当VGS＞VT后才会出现漏极电流ID。 随着VGS的继续增加，ID将不断增加。 VGS对漏极电流的控制关系可以表示为： ID=f(VGS)?VDS=const 我们用转移特性曲线来描述这一关系，如下图所示。 转移特性曲线的斜率gm反映 了栅源电压对漏极电流的控制作 用。gm的量纲为mA/V，所以gm也 称为跨导(或互导)。