位错的生成与增殖分解.pptVIP

; 1、位错来源 1）凝固时在晶体长大相遇处，因位向略有差别而形成； 2）因熔体中杂质原子在凝固过程中不均匀分布使晶体的先后凝固部分成分不同，从而点阵常数也有差异，而在过渡区出现位错； 3）流动液体冲击、冷却时局部应力集中导致位错的萌生。 4）晶体裂纹尖端、沉淀物或夹杂物界面、表面损伤处等都易产生应力集中，这些应力也促使位错的形成。 5）过饱和空位的聚集成片也是位错的重要来源。;2、位错的增殖;当外切应力满足必要的条件时，位错线AB将受到滑移力的作用而发生滑移运动。 在应力场均匀的情况下，沿位错线各处的滑移力Ｆt＝τｂ大小都相等，位错线本应平行向前滑移， 但因位错AB两端被固定住，不能运动，势必在运动的同时发生弯曲，结果位错变成曲线形状，如图（b）所示。 ;位错所受力Ｆt总是处处与位错本身垂直，即使位错弯曲也如此 在应力作用下，???错的每一微线段都沿其法线方向向外运动，经历图（c）～（d）。 当位错线再向前走出一段距离，图(d)的p、q两点就碰到一起了。 ;因p、q两点处一对左、右旋螺位错，遇到时，便互相抵消。 则原位错线被分成两部分，如图（ｅ）。 此后，外面位错环在Ｆt作用下不断扩大，直至到达晶体表面， 而内部另一段位错将在线张力和Ｆt的共同作用下回到原始状态。 ;上述过程到此并没结束，因应力还施加在晶体上 在产生一个位错环后，位错AB将在F的作用下，继续不断地重复上述