晶体二极管及其基本电路技术总结.ppt

第1章 晶体二极管及其基本电路 ;1–1 半导体物理基础知识 ;按导电性能的不同，物质可分为导体、绝缘体和半导体。目前用来制造电子器件的材料主要是硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等。它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，并且会随温度、光照或掺入某些杂质而发生显著变化。要理解这些特性，就必须从半导体的原子结构谈起。与价电子密切相关，所以为了突出价电子的作用，我们采用图1–1所示的简化原子结构模型。 ;图1–1原子的简化模型;纯净的单晶半导体称为本征半导体。在本征硅和锗的单晶中，原子按一定间隔排列成有规律的空间点阵(称为晶格)。由于原子间相距很近，价电子不仅受到自身原子核的约束，还要受到相邻原子核的吸引，使得每个价电子为相邻原子所共有，从而形成共价键。这样四个价电子与相邻的四个原子中的价电子分别组成四对共价键，依靠共价键使晶体中的原子紧密地结合在一起。图1–2是单晶硅或锗的共价键结构平面示意图。共价键中的电子，由于受到其原子核的吸引，是不能在晶体中自由移动的，所以是束缚电子，不能参与导电。;图1–2单晶硅和锗的共价键结构示意图 ; 一、半导体中的载流子——自由电子和空穴 ;图1–3本征激发产生电子和空穴;二、本征载流子浓度 ; 式中ni,pi分别表示电子和空穴的浓度(cm–3 )；T为热力学温度(K)；EG0为T=0K时的禁带宽度(硅为1.21eV,锗为0.78eV)；k为玻尔兹曼常数(8.63×10–6 V/K)；A0是与半导体材料有关的常数(硅为3.87×1016cm-3·K-3/2，锗为1.76×1016cm-3·K-3/2)。 ;1–1–2杂质半导体 ;一、N型半导体 ; 图1–4N型半导体原子结构示意图 ;二、P型半导体 ;图1–5 P型半导体原子结构示意图 ;三、杂质半导体的载流子浓度 ;对P型半导体，多子pp与少子np有 ;由以上分析可知，本征半导体通过掺杂，可以大大改变半导体内载流子的浓度，并使一种载流子多，而另一种载流子少。对于多子，通过控制掺杂浓度可严格控制其浓度，而温度变化对其影响很小；对于少子，主要由本征激发决定，因掺杂使其浓度大大减小，但温度变化时，由于ni的变化，会使少子浓度有明显变化。;1–1–3半导体中的电流 ; 半导体中有两种载流子——电子和空穴，当外加电场时，电子逆电场方向作定向运动，形成电子电流In ，而空穴顺电场方向作定向运动，形成空穴电流Ip 。虽然它们运动的方向相反，但是电子带负电，其电流方向与运动方向相反，所以In和Ip的方向是一致的，均为空穴流动的方向。因此，半导体中的总电流为两者之和，即 I=In+Ip ;二、扩散电流 ;图1–6半导体中载流子的浓度分布 ;1–2 PN结及晶体二极管 ;1–2–1 PN结的形成 ; 图1–7PN结的形成;开始时，扩散运动占优势，随着扩散运动的不断进行，界面两侧显露出的正、负离子逐渐增多，空间电荷区展宽，使内电场不断增强，于是漂移运动随之增强，而扩散运动相对减弱。最后，因浓度差而产生的扩散力被电场力所抵消，使扩散和漂移运动达到动态平衡。这时，虽然扩散和漂移仍在不断进行，但通过界面的净载流子数为零。平衡时，空间电荷区的宽度一定，UB也保持一定，如图1–7(b)所示。;由于空间电荷区内没有载流子，所以空间电荷区也称为耗尽区(层)。又因为空间电荷区的内电场对扩散有阻挡作用，好像壁垒一样，所以又称它为阻挡区或势垒区。 ; 图1–8不对称PN结 ;1–2–2 PN结的单向导电特性 ;图1–9 正向偏置的PN结 ;二、PN结加反向电压 ;图1–10反向偏置的PN结;三、PN结电流方程 ;由式(1–4)可知，加正向电压时，u只要大于UT几倍以上，i≈Iseu/U-T，即i随u呈指数规律变化；加反向电压时，|u|只要大于UT几倍以上，则i≈–IS(负号表示与正向参考电流方向相反)。因此，式(1–4)的结果与上述的结论完全一致。由式(1–4)可画出PN结的伏安特性曲线，如图1–11所示。图中还画出了反向电压大到一定值时，反向电流突然增大的情况。;1–2–3 PN结的击穿特性 ;图1–11 PN结的伏安特性 ;一、雪崩击穿 ;二、齐纳击穿 ;1–2–4PN结的电容特性 ;因此，耗尽区中存贮的电荷量将随外加电压的变化而改变。这一特性正是电容效应，并称为势垒电容，用CT表示。经推导，CT可表示为 ;二、扩散电容 ; 图1–12 P区少子浓度分布曲线 ;同理，在N区一侧，非平衡