KP方法计算应变量子阱空穴能.docVIP

Spin-orbit-coupling effects on the valence-band structure of strained semiconductor quantum wells Calvin Yi-Ping Chao and Shun Lien Chuang Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois 摘要：找到一组将6×6 Luttinger-Kohn 哈密顿量对角化为两个3×3块的酉变换，使得计算量子阱能带时更有效。使用这些公式，系统的研究了应变量子阱中重空穴、轻空穴和自旋轨道分裂耦合。给出应变对k空间能量表面的影响，给出包含与不包含自旋轨道分裂能带的结果。结果显示，自旋轨道分裂耦合对能带特别是高应变量子阱能态影响很明显，不能忽略。 简介 应变可以是调整半导体能带参数的有力工具，在量子阱激光器，调制器，探测器等中有重要的应用。例如对于应变量子阱激光器，应变使得量子阱价带带边在k＝0处分裂，降低平面有效质量，从而降低态密度，降低阈值电流。各向同性(静水力学的)应变改变带隙，各向异性（单轴或切应变）使得价带在k＝0处简并分离。应变导致重空穴、轻空穴、自旋轨道分裂带额外的耦合，这些耦合在非应变量子阱计算中通常被忽略，但对于高应变量子阱，忽略这些耦合将导致计算能级误差几十个meV，有效质量误差高于30％。本文的目的就是证明应变如何影响半导体价带能级，着重于重空穴、轻空穴、自旋轨道分裂带额外的耦合。使用的公式基于Luttinger-Kohn 哈密顿量和包络函数近似。以下第二部分研究应变体材料带边能量公式和有效质量。第三部分结合应变和量子效应，集中讨论应变量子阱的能级计算，在轴近似下，得到一组将6×6 Luttinger-Kohn 哈密顿量对角化为两个3×3块的酉变换，由这简单的哈密顿量，可以计算应变量子阱的能级。最后做讨论。 2. 应变体半导体 基于Luttinger-Kohn的理论，还有Bir和Pikus的，应变半导体的价带能级在包络函数空间可以由以下6×6哈密顿量表示 （1） 其中 , , , , , , , , . （2） 其中波矢k被当作微分算符；是对称应变张量；?1，?2，?3是Luttinger参数；av，b和d是Bir-Pikus形变势（ΔEv＝-av (exx ＋eyy ＋ezz) ，av是价带的静压形变势能；＝-b (exx ＋eyy －2ezz)/2，为切应变引起的能带偏移，其中为四方对称应变时的应变势能）；自旋轨道发生相互作用时，就会改变简并度，能带发生分裂，并且使价带发生变化Δ。基函数表示区中心Bloch波函数，这里非应变价带顶能量设为零。 本文的中心任务是证明应变如何影响能带结构，包括带边和有效质量，这些是表征半导体材料最重要的参数。集中研究重空穴，轻空穴和自旋轨道分裂的耦合。对于大多数的Ⅲ－Ⅴ族半导体材料，自旋轨道分裂带在重轻空穴带以下几百meV，而通常只需考究几十meV附近能带，所以自旋轨道分裂带的影响经常被忽略，这种情况下，重、轻空穴能带近似由以下4×4哈密顿量表示 （3） 方程（1）中，哈密顿量H写成任意应变形式，对于简单的双轴应变 , （4） 因此，, 实际上覆盖了两种主要的应变系统：一是应变半导体赝晶生长在（001）方向衬底上；二是体半导体材料在z轴上受到额外的单轴应变。对于晶格失配应变，我们得到 ,, （5） 分别是衬底和外延层的晶格常数，C11，C12弹性模量（硬度常数）。对于外部单轴压力，有 ， （6） 其中T是外部沿z轴压力。 材料参数如表1所示（注意带隙——带阶）。如（1）或（3）式的哈密顿量，体半导体材料价带结构由以下代数方程表示 , （7） 其中k现在是实际矢量，包络函数简化为平面波，对于4×4哈密顿量，方程（7）的解对于重空穴和轻空穴分别简化为 （8） 每个解是二度简并的。注意式中包含符号因子是很重要的，因为可负（压应变）可正（张应变），而其平方根通常是正的。对于确定的有限的应变，上述色散关系对小的k展开为 , （9） 其中，，从上式可以直接得到带边