第5章半导体激光器(LD)：静态特性_蓝色(全)综述.ppt

第4章 半导体激光器 : 静态特性;1. 引言； 2. 自发辐射与受激辐射； 3. 光学谐振腔； 4. 阈值特性； 5. 先进LD：电子特性的改进； 6. 先进LD：光学特性的改进。;I. 引言 LED是在显示、通信、照明等领域广泛使用的光源，其优点是结构简单、价格低廉、性能可靠。但LED作为通信用光源的话存在诸多缺陷： 输出频谱（线宽）大； 响应速度慢，调制带宽小； LED是非相干光源。 LED的输出线宽大约比LD的输出线宽大2个数量级，而其带宽则比LD带宽小得多。无法用于高速、远距离通信，只能用于低速、短距离传输，例如局域网、接入网（ONU无色化）等。;Laser Diode e-h对在高质量的 光学谐振腔中复合;LD的主要优点： 输出功率高（相对LED）； 体积小； 发光效率高； 输出频谱窄； 响应速度快，带宽大。 激光器是利用受激辐射产生光子，其激励方式(能量注入方式)有： 电流注入（???用PN结结构的载流子注入）； 电子束注入； 激光注入； 碰撞电离。（？）;II. 自发辐射与受激辐射 自发辐射特点： 自发辐射是随机过程； 发出的光波是非相干光； 光子能量大体相等，约等于材料带隙； 相位与方向各不相同。 受激辐射特点： 发出的光是相干光； 光子相位、方向与引起辐射的光子一致。;普通激光器工作过程： 一般激光器的工作过程涉及到原子的能级跃迁。以二能级系统为例，其过程是：在外界能量注入条件下，原子中的外层电子吸收能量，跃迁到高能级。在高能级的原子态并不稳定，如果此时有光子从有源区穿过，则会激励此高能原子，使电子由高能级跃迁回低能级，同时放出一个光子，此光子与引起辐射的光子在频率、相位、方向上完全一致。 半导体激光器工作过程： 在半导体激光器中，有源区发光过程涉及到两种载流子。其过程是：正向偏置电压下，外界注入高能载流子，注入的电子能级位于导带，在导带底附近，注入的空穴能级位于价带，在价带顶部附近。在穿过有源区的光子激发下，导带电子落入价带，与价带空穴复合，产生光子，此光子与激发复合过程的光子在频率、相位、方向上亦完全一致。;能量吸收; 2. LD产生激光出射的过程： 正向偏置下，首先由器件内部的有源区自发辐射产生光子，这些光子中的极少一部分会引起受激辐射，这些光子就是LD受激辐射发射激光的源头； LD工作在高电场条件，即外界激励很强，载流子浓度高，有源区达到粒子数分布反转； 光谐振腔的存在，使其中一部分光子因满足谐振条件而迅速增强，逐渐在整个光波中占有绝对优势，最终克服器件损耗，形成稳定的激光输出。; 3. 粒子数分布反转 在无外界注入条件下，绝大多数电子都位于低能级，粒子数分布反转是指由于能量注入，使得高能级上的电子数反而比低能级电子数更多，这是普通激光器的粒子数分布反转。对于半导体激光器，工作过程涉及到两种载流子，其粒子数分布反转是指在一定能量范围内，导带内的电子比价带内的电子还要多。 在平衡状态下（无外界载流子注入），两种能级上的电子数目分别是：;在非平衡状态下（有载流子注入），导带能级和价带能级被电子占据的几率分别是：; 假设引起LD受激辐射的光束强度为 ，则有源区的受激辐射率为：;达到粒子数分布反转的必要条件是： 高注入； 高掺杂。;III. 激光器结构：光学谐振腔 F-P（Fabry-Perot）腔; F-P腔的主要构造： P-N结结构； 与P-N结面垂直的两个镜面； 电极及热沉。;3. F-P腔的共振频率： 包括F-P腔在内的所有光学谐振腔都是共振腔，满足共振条件的频率会由于干涉相长原理而加强，不满足共振条件的频率则会在两端面反射多次后逐渐减弱，最终，满足共振条件的频率在输出光谱中占绝对优势。根据相长干涉条件，光波从某点出发经过两个端面的反射，最后回到出发点时，其相位变化应该是 的整数倍。由此推出满足谐振条件的光波长为： 对应的共振频率为：; 光腔的共振频率又称为光腔的纵模。由纵模的表达式，容易理解：光腔的纵模是周期性的，理论上，光腔中可允许存在无限多个纵模，并且纵模都是等间隔的。相邻纵模之间的频率间隔为：;4. 光波限制因子 其物理含义是指限制在有源区中的光波在整个光腔内的所有光波中所占的比例。; 光波限制因子是衡量有源区对光波限制作用的强弱的参数，其大小与激光器的结构有关，不同的激光器其光波限制因子有很大差别。例如： 体材料半导体激光器，如F-P腔LD，光波限制因子接近于100%； 量子阱半导体激光器，由于有源层很薄，对光波的限制能力弱，其光波限制因子大约只有1%左右。;【例4.1】一个GaAs材料制作的F-P腔半导体激光器，其腔长为L=200um，GaAs材料的折射率为3.66。计算：