《模拟电子线路》第4章-杨凌试卷.ppt

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2017-04-20 发布于湖北
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《模拟电子线路》第4章-杨凌试卷.ppt

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杨凌;第 4 章场效应管及其基本放大电路 ;§4.1 JFET (体内场效应器件);§4.1 JFET;§4.1 JFET;§4.1 JFET;§4.1 JFET;§4.1 JFET;§4.1 JFET;§4.1 JFET;§4.1 JFET;§4.1 JFET;§4.2 MOSFET (表面场效应器件);§4.2.1 增强型MOSFET ;§4.2.1 增强型MOSFET ;§4.2.1 增强型MOSFET ;§4.2.1 增强型MOSFET ;§4.2.1 增强型MOSFET ;§4.2.1 增强型MOSFET ;§4.2.1 增强型MOSFET ;§4.2.1 增强型MOSFET ;§4.2.2 耗尽型MOSFET ;§4.2.2 耗尽型MOSFET ;图 4.14;二、使用注意事项 1、 VB N沟道:接低电位; P沟道:接高电位. VB=VS 2、 D S, 若VB=VS, 则 D S. 3、保存: JFET可在开路状态下存放,但使用时VGS不能接反;MOSFET存放时须将各电极短路,以免外电场作用而使管子损坏. 4、焊接时,电烙铁必须有外接地线,以屏蔽交流电场,防止损坏管子.特别是焊接MOSFET 时,最好断电后再焊接. ;一、低频模型;§4.4 小信号电路模型 ;§4.5 场效应管放大电路 ;§4.5.1 FET的直流偏置电路及静态分析 ;§4.5.1 FET的直流偏置电路及静态分析;§4.5.2 FET放大电路;§4.5.2 FET放大电路;§4.5.2 FET放大电路;g;§4.5.2 FET放大电路;§4.5.2 FET放大电路;§4.5.2 FET放大电路;§4.5.2 FET放大电路;§4.5.2 FET放大电路;§4.5.2 FET放大电路;章末总结与习题讨论;章末总结与习题讨论;章末总结与习题讨论;·;章末总结与习题讨论;章末总结与习题讨论;欢迎提出批评指正 !