非易失性存储器（NVM）.ppt

;赛普拉斯是NVRAM市场的领导者;串行的非易失性存储器术语;串行NVM的设计问题;串行F-RAM是更好的解决方案; 特性;如何开始?;并行非易失性存储器术语;1. 许多系统需要使用带有高写入耐久性的快速非易失性存储器 传统EEPROM或闪存非易失性存储器的写时间较长（ 1 ms），并且写入耐久性受限制 低功耗的异步SRAM具有45 ns左右的访问时间，且需要电池备份，以便掉电时可以存储数据 2. 电池提高成本，增大了设计复杂性，并且降低了可靠性和RoHS标准 电池、功耗管理电路和固件提高了成本和复杂性，并降低了可靠性 由于纽扣电池的使用寿命有限，因此强制规定定期进行维护系统和停机时间 在恢复系统功耗之前，如果电池耗尽，将丢失数据，因此需要快速修复时间 电池含有重金属，违反了RoHS标准 nvSRAM可以解决这些问题 提供20 ns读/写SRAM访问时间，不限制耐久性 对于不受限制的周期，掉电时不需要用于保留数据的电池 掉电时可以存储数据而不需要外部功耗管理电路和固件 符合RoHS的要求 ;并行nvSRAM是更好的解决方案;1 低功耗的16Mb异步SRAM 2 条件：最大电流、x16、45 ns （nvSRAM）、45 ns （异步SRAM）、35 ns （MRAM），2.7到3.6 V，?40° C到+85° C;如何入门?