第三章硅和硅片制备分解.pdfVIP

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2017-04-19 发布于湖北
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第三章硅和硅片制备分解.pdf

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东南大学无锡分校第三章硅和硅片制备东南大学无锡分校晶体生长东南大学无锡分校 §3.1半导体级硅东南大学无锡分校一、半导体级硅 semiconductor-grade silicon，SGS 高纯度硅，纯度99.9999999% 矿石→SGS ↑ 沙子、石英二、半导体级硅的制备东南大学无锡分校制备半导体级硅 (SGS)的过程步骤过程描述反应方程式用碳加热硅石至 2100℃左 ? 1 右来制备冶金级硅(MGS) SiC (s) + SiO2 (s) Si (l) + SiO(g) + CO (g) （杂质大约 2%）通过化学反应将冶金级硅进 ? 2 一步提纯为三氯硅烷 Si (s) + 3HCl (g) SiHCl3 (g) + H2 (g) + heat (SiHCl3) 利用西门子方法，通过三氯 ? 3 硅烷和氢气反应来生产半导 2SiHCl3 (g) + 2H2 (g) 2Si (s) + 6HCl (g) 体级硅 (SGS) 三、硅的晶体结构东南大学无锡分校 1. 晶向东南大学无锡分校 . 晶列：晶格中的原子处在的一系列方向相同的平行直线系上 . 晶向：空间点阵中各阵点列的方向（连接点阵中任意结点列的直线方向）（一族晶列所指的方向，可由连接晶列中相邻格点的矢量的方向来标记） . 晶向指数： u v w 2. 晶向族---等效晶向东南大学无锡分校晶向族：晶体中原子排列情况相同但空间位向不同的一组晶向。用uvw表示 100 110 111 3. 晶面东南大学无锡分校 . 晶面：通过空间点阵中任意一组阵点的平面（在点阵中由结点构成的平面） . 晶面指数：（h l k） Z Z Z Y Y Y X X X (100) (111)