姚淑华-晶体生长教学课件 第九章 生长动力学6.9.pdfVIP

1第九章 生长动力学 2015-06-08 2前面成核理论（8章）和界面平衡结构（7章） 面临的问题： 在亚稳相中晶核形成后或者亚稳相中放入籽晶 后晶体是如何生长的？ 晶体以怎样的机制生长？ 生长速度与驱动力之间的规律？ 前 言 3? 界面动力学规律：生长速率R与驱动力（Δg）之间的关系 ? 生长的动力学规律决定于晶体生长机制，晶体生长机制又 决定于生长过程中的界面结构 所以，生长动力学规律与界面结构是密切相关的 实验研究手段 晶体生长界面的直接观察：光学显微镜、相衬显微镜、 激光全息干涉术 缺点：或分辨率低、或对实验条件要求太高，难于对生 长界面进行原子级、分子级结构的观察 原子力显微镜：分辨率高、可在大气环境下工作 精确地实时观察生长界面的原子、分子级分辨图象，了 解生长过程和生长机理 4邻位面生长 奇异面生长 二维成核生长机制 位错生长机制 粗糙面生长 关于晶体形态学的问题 生长速率R与驱动力（Δg）之间的关系 一 、 二 、 5§1 邻位面生长－台阶动力学 §2 奇异面的生长 §3 粗糙晶面的生长 §4 晶体生长形态学 ? 本章小结 本章内容 6§1 邻位面生长－台阶动力学 邻位面（为了降低表面能）?台阶化 邻位面的生 长归结为光滑晶面（奇异面）上的台阶运动 临位面的生长：台阶在光滑面上的移动问题 7(1) 每一立方块代表一个原子；原子 是相同的并且紧密排列； (2) 晶体内部的每个原子有： 6个第一近邻，面接触； 12个第二近邻，棱边接触； 8个第三近邻，顶角相接触。 (3) 成键时释放能量： 位置(1)：3个最近邻键＋6个第二近邻键＋… 位置(2)：2个最近邻键＋6个第二近邻键＋… 位置(3)：1个最近邻键＋4个第二近邻键＋… 位置(4)：1个最近邻键＋3个第二近邻键＋… 位置(5)：1个最近邻键＋2个第二近邻键＋… 原 于 添 加 的 容 易 程 度 原子级光滑理想表面模型: 8一、晶面上分子的势能 ? ? 1 2 1 2 1 2 1 100 2 2 (2) 2 8 (3) 4 12 3 (4) 6 12 模型：简单立方晶体 面 ：最近邻分子的交互自由能 ：次近邻的交互自由能 一个最近邻键 界面位置 释放能量 四个次近邻键 两个最近邻键 一个流体分子 位置 释放能量 六个次近邻键 个最近邻键 扭折位置 释放能量 六个次近邻键 sW ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? ?? ? ?? ? ? ?? ? ?? ? ? ? ?? ? ? ?? ? ?? ?? ? ?? 9相变潜热：通常将到达扭折位置的分子看为晶相分 子，由流体到达扭折所释放的能量称为相变潜热 到达位置（4）释放 的能量最大 分子在界面上最 稳定位置 势能最低 Δg=0, 吸附到扭折与离开扭折位置的机率相等， Δg0, 分子吸附到扭折上（4）的机率较大 由于热涨落，台阶上的扭折自发产生，密度较高， 所以邻位面生长较容易 10 位于（2）位置能量较高，不稳 定。 吸收Ws——流体中 释放Wk——到达扭折位置 （2)处的分子为非晶相分子是吸附 分子） 单分子的相变潜热 lsf=Ws+Wk 11 ? ? ? ?? ? ? ?? ?? ?? ???? ?? ?? ???? ???? ?? )4( )4()2( )4()3()2( )1( 扭折 扭折吸附分子 扭折台阶吸附分子 流体分子 晶体生长可能的途径 体扩散 面扩散体扩散 线扩散面扩散体扩散 C B A 台阶上扭折间的间距只有几个 原子间距，因此台阶分子(3)通 过一维扩散到达扭折是比较容 易的。可以认为凡是到达台阶 的分子都能到达扭折。 在生长过程中，流体分子或是通过方式B到达扭折，或是通过 方式C到达扭折。 12 二、面扩散 2→3(面激活能 εs)： εs =1/20lsf εs与晶体结构等有关，但是同一晶体不同的面也是不同 的 εs )/exp( 4 1 )4/1]010[100( : )/exp( // 11 // kTD v kT s s s ?? ? ? ?? ? ?? 方向，震动频率）面内沿某一方向如在（ 面扩散的扩散系数为 几率每振动一次发生漂移的 动的频率：吸附分子在晶面内振 13 )/exp(1 )(1 kTW s s s s ?? ? ? ? ? ? ? ? 脱附频率频率：吸附分子离开晶面的 ：吸附分子的平均寿命 频率：吸附分子上下振动的 2 // 1 exp ( ) / 2 2 s s s s s s s x x D x W kT ? ? ? ? ?? ? ? ?? ?? ? 估算一下在吸附分子的平均寿命内， 由于无规漂移而在给定方向的迁移 。 由统计物理学中的爱因斯坦关系式 ，并近似取 ，得 14 )/22.0exp( 2 1 45.0 kTlx lW W s