第三章表面与界面题材.ppt

第三章 表面与界面;第三章 表面与界面;3.1 基本概念;;3.2 固体表面自由能的近似计算;1.单质晶体的规整面的表面自由能;;;;离子晶体表面双电层;氯化钠表面的双电层;晶体周期性被破坏，引起表面附近的电子波函数发生变化，进而影响表面原子的排列，新的原子排列又影响电子波函数，此相互作用最后建立起一个与晶体内部不同的自洽势，形成表面势垒。当一部分动能较大的电子在隧道效应下穿透势垒，表面将形成双电层。;晶 界;界面;界面;界面;共格界面模型;半共格界面模型;半共格界面能;;非共格界面--点阵失配度较大，如δ = 0.25，则每隔4个面间距就有一 个位错，导致位错失配的区域重叠，这样的间界属于非共格类晶界。--非共格界面的结构描述更复杂，但和大角晶界结构有许多 共同的特征，如能量都很高(大约在500-1000mJ／m2)，界面 能对界面取向不敏感等。;2. 非规整面的表面自由能;3.两维晶体的平衡形状;;晶体形状与表面能 (γ-图 )γ-图的绘制:从一原点出发引矢径，其长度正比于该晶面的表面能大小，方向平行于该晶面法线，连接诸矢径端点而围成的曲面。 ;γ-图的应用与乌耳夫法则;2.3 表面曲率效应;表面曲率效应;附加压力与表面张力的关系;表面曲率效应;固体表面蒸汽压;溶质的溶解度;固体粒子的熔点;固体粒子的熔点;3.4 表面能与界面的杂质偏析（Gibbs吸附等温线）;晶界偏析 晶界偏析：在平衡条件下，溶质原子（离子）在晶界处 浓度偏离平均浓度。  偏析的自发趋势：，溶质原子（离子）处于晶内的能量 比在晶界的能量高，通过在晶界缺陷处偏析使系统能量降 低。 偏析驱动力是内能差：设一个原子位于晶内和晶界的内 能分别为El 和Eg ，则偏析的驱动力为： ;;Gibbs吸附等温线;3.5 固体吸附（ Langmuir吸附等温线）;化学吸附;以形成离子键为主的离子吸附;以共价键吸附外来粒子;形成化合物;气敏传感器;气敏装置及测量原理;气敏传感器;二氧化钛光催化降解;酸碱中心;;3.6 固体表面能的测量;固体表面能的测量;3.7 表面自由能之间的关系;3.7 表面自由能之间的关系;θ取决于界面张力的比值γαα／γαβ 。 ---γαα＜＜γαβ，θ =180°， β与α完全不浸润，β近似球形； ---γαα = γαβ，θ = 120°，β呈双球冠形； ---γαα = 2γαβ，θ = 0°，β与α浸润，β在α晶界上铺展。;晶棱与晶角上的第二相第二相位置如图所示（ 3个α晶粒和1个β晶粒间的晶角）。平衡时，3个界面张力γααβ相等，得3个X 角也相等。角X、Y 和二面角δ有如下立体几何关系：;方程的图像及结构形貌： δ=180°，X =120°，Y=90°， β相是球形； δ=120°, X = Y =109.5°， β相是曲面四面体(a)； δ=60°, Y→180°，X→0°，β相沿晶棱渗透(b)。 δ=0 ， β相沿晶界扩展。应该指出，第二相的位置从晶内→晶界→晶棱→晶角的顺序，热力学位γA是递降的。;表面分析技术;;;;