第二章二极管及其基本电路题材.ppt

模拟电子技术;第二章 二极管及其基本电路;第一节 半导体的基本知识;半导体特殊性质：;1.2 半导体的共价键结构;在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点 阵，相邻两个原子之间共用一对价电子，形成共 价键。;半导体究竟 是如何导电的?;1.3 本征半导体、空穴及其导电作用;情况2：常温下热激励。;载流子的产生与复合;自由电子和空穴成对出现，电量相等符号相反；;本征半导体中 载流子的浓度 很少，那么如何 提高载流子浓度？;1.4 杂质半导体;N型半导体;特点：;P型半导体;特点：;杂质半导体的示意表示法;注意;;－;结论：;PN结形成物理过程总结：;PN结两端用一根 导线连接起来，是否 会有电流流过？;One;2.2 PN结的单向导电性;PN结正向偏置;结论：内电场被削弱，多子的扩散运动加强，形成较 大的占主导作用的扩散电流。;PN结反向偏置;结论：内电场被增强，多子的扩散运动减弱，少子漂 移运动加强，但本征激发的少子数量有限，因 此只能形成较小的反向电流(反向饱和电流)。;反向偏置;2.3 PN结的反向击穿;雪崩击穿：反向电压足够大时，PN结的内电场加强， 使少子漂移速度加快，动能增大，通过空 间电荷区与晶体原子碰撞，打破共价键的 束缚，产生很多新的电子空穴对，这种现 象称为碰撞电离。新产生的电子空穴对又 会去撞击更多的原子，形成倍增效应。当 反向电压增大到某一数值时，反向电流急 剧增大，于是PN结被击穿。;这两种电击穿 容易发生 在那种PN结里 呢？;One;电击穿危害及注意问题：;2.4 PN结的电容效应;One;扩散电容：;势垒电容：;第三节 半导体二极管;各自特点：;二极管的电路符号：;二极管的型号：;3.2 二极管的伏安特性;U;U;二极管伏安特性表达式：;3.3 二极管的主要参数;极间电容Cd ：等于扩散电容CD和势垒电容CB之和。;3.4 二极管的基本电路及其分析方法;恒压降模型(大信号模型)：;模型分析法应用举例：;例2：静态工作情况分析：R＝10kΩ，在VDD=10V情况下 ，分别用理想和恒压降模型求电路的ID和VD。;解：;3.5 特殊二极管;稳压管空间电荷区 宽还是窄？;稳压管代表符号及反向击穿模型： ;稳压管参数： ;例3：稳压电路如图所示，设 ，稳 压管的 。试分 析当VI出现 的变化时，Vo的变化是多少？ ;作业：;Thank You !