IC工艺原理习题.doc

PAGE 1 PAGE 10 第一章 外延思考题 外延是___________________________________________________________________。 名词解释: 同质结外延,异质结外延 正外延,反外延 SOS，SOI结构 软误差， 埋层外延中的图形漂移与滑移原因及解决办法。 分析外延中的自掺杂效应,讨论解决办法。 分析外延中的可能产生的几种缺陷,讨论解决办法。 总结影响外延生长速率的几种因素,如何提高外延层质量。 根据两种硅气相外延的原理，比较两种硅气相外延的特点。 外延技术在双极及MOS电路的主要用途 第二章 氧化工艺 10001. 根据硅和二氧化硅的密度和分子量，说明生长厚度为x0的氧化层，计算要消耗厚度为___ x0的硅层，二氧化硅的密度用2.27g/cm3,硅的密度用2.33g/cm3，硅的原子量为28，氧的原子量为16。 选择题 10002. 氧化层厚度和氧化时间的关系式为x0=，请化简，当氧化时间很短时，即, 则X0=_____ B. C. D. 10004 .氧化层厚度和氧化时间的关系式为X0=，当氧化时间很短时，即，它属于（ ） A. 表面反应控制 B. 扩散控制 10006在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（ ） A.干氧 B.湿氧 C.水汽氧化 10008. 二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些______ 1．杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 2．杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数 3．二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度 4．二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度 A．2,4 B.1,3 C.1,4 D.2,3 10010. 半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（ ） A．结晶形二氧化硅 B. 无定形二氧化硅 10011. 二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有：（ ） 对杂质的掩蔽作用 对器件表面的保护和钝化作用 用于器件的电绝缘和电隔离 作为电容器的介质材料 作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料 A．1,2 B. 1,2,3 C. 1,2,4,5 D.1,2,3,4,5 10012. 扩散系数与下列哪些因素一定成增函数关系（ ） 1杂质的浓度梯度 2 温度 3 扩散过程的激活能 4 杂质的迁移率 A. 1,2 B. 2,3 C. 2,4 D.1,4 10013. 硅平面制造工艺的硼、磷扩散都属于_____ A. 代位式扩散 B.间隙式扩散 填空题: 20001. 在硅-二氧化硅系统中存在______电荷、可动电荷、界面态电荷和氧化层陷阱电荷。 20006. 温度是影响氧化速率的一个重要因素，温度越高，氧化速率越_____（大/小）。 20008. 在一定的氧化条件下，通过改变氧化剂分压可以改变氧化层生长速率，氧化剂分压越____（大/小），生长速率越慢。 20016. 清洗硅片所用的化学试剂、去离子水和生产工具、操作者的汗液及呼出的气体等是氧化层中的__离子的来源。 20017. 在用干涉法测量氧化层厚度时，光的波长为5400?，暗条纹数为6条，则氧化层厚度为________ ?. 30001. 某MOS管在1100℃下，用干氧制备栅氧化膜，时间为30min,A=0.09,B=4.5× 10-42/min,=4.56min,计算所生成的栅氧化层厚度_______.(保留两位有效数字) 30002. 氧化温度为1200℃，要求氧化层厚度为500nm,试求湿氧(水温95℃)需要____min(只保留整数)，已知A=0.05, B=1.2×10-22/min,=0。 30003. 氧化温度为1200℃，要求氧化层厚度为500nm,试求干氧需要____min(只保留整数)，已知干氧A=0.04, B=7.5×10-42/min,=1.62min。 30004. 氧化温度为1200℃，要求氧化层厚度为500nm,试求水汽氧化需要____min(只保留整数)，已知干氧A=0.017, B=1.457×10-42/min,=0。 30005. 氧化温度为1100℃，先干氧10min ,再湿氧40min(T水=95℃)，再干氧10min,求总的氧化层厚度____。（答案保留两位有效数字） 已知：干氧A=0.09, B=4.5×10-42/min,=4.56min。 湿氧A=0.11, B=0.85×10-22/min,=0min。 30006