段辉高3芯片制造中的沾污控制汇编.pptxVIP

第四章芯片制造中的沾污控制 1 2 这是谁？ 为什么穿成这样？ 3 本章的学习目标 理解为什么要控制沾污？ 学习如何控制沾污？ 学习如何发现沾污。 4 硅片制造的极端要求 硅片的纯度（99.99999%） 硅片的关键尺寸（ 20 nm） 晶体管的数目（1010个） 硅片的工艺步骤（100，0.99100=0.36） 5 6 几类典型CPU特征比较 CPU Manufacturing Process Cores Transistor Count Die Size AMD Bulldozer 8C 32 nm 8 1.2B 315 mm2 Intel Ivy Bridge 4C 22 nm 4 1.4B 160 mm2 Intel Sandy Bridge E (6C) 32 nm 6 2.27B 435 mm2 Intel Sandy Bridge E (4C) 32 nm 4 1.27B 294 mm2 Intel Sandy Bridge 4C 32 nm 4 1.16B 216 mm2 Intel Lynnfield 4C 45 nm 4 774M 296 mm2 Intel Sandy Bridge 2C (GT1) 32 nm 2 504M 131 mm2 Intel Sandy Bridge 2C (GT2) 32 nm 2 624M 149 mm2 7 为什么要实行沾污控制？ 8 为使芯片上的器件功能正常，避免硅片制造中的沾污是绝对必要的。随着器件关键尺寸缩小，对沾污的控制要求变得越来越严格。将学习硅片制造中各种类型的重要沾污、它们的来源以及怎样有效控制沾污以制造包含最小沾污诱生缺陷的高性能集成电路。 一个硅片表面具有多个微芯片，每个芯片又差不多有数以亿计的器件和互连线路，它们对沾污都非常敏感。随着芯片的特征尺寸为适应更高性能和更高集成度的要求而缩小，控制表面沾污的需求变得越来越关键（见图）。为实现沾污控制，所有的硅片制备都要在沾污控制严格的净化间内完成。 沾污的影响 器件工艺良品率 器件性能 器件可靠性 9 10 现代半导体制造是在称为净化间的成熟设施中进行的。这种硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如颗粒、金属、有机分子和静电释放（ESD）的沾污。一般来讲，那意味着这些沾污在最先进测试仪器的检测水平范围内都检测不到。净化间还意味着遵循广泛的规程和实践，以确保用于半导体制造的硅片生产设施免受沾污。 本章主要内容 沾污的类型 沾污源的控制（环境与管理） 沾污源的去除（清洗） 沾污的测量与检查 11 沾污的类型 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片成品率及电学性能的不希望有的物质。将主要集中于制造工序中引入的各种类型的表面沾污。 沾污经常导致有缺陷的芯片。致命缺陷是导致硅片上的芯片无法通过电学测试的原因。据估计80％的芯片电学失效是由沾污带来的缺陷引起的。电学失效引起成品率损失，导致硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。 12 沾污的类型 净化间沾污分为五类： 颗粒 金属杂质 有机物沾污 自然氧化层 静电释放（ESD） 13 14 沾污的类型-颗粒 颗粒是能粘附在硅片表面的小物体。悬浮在空气中传播的颗粒被称为浮质。从鹅卵石到原子的各种颗粒的相对尺寸分布如图所示。 PM2.5 15 PM2.5 16 颗粒带来的问题有引起电路开路或短路如图的短路。 17 半导体制造中，可以接受的颗粒尺寸的粗糙度尺寸的粗略法则是它必须小于最小器件特征尺寸的一半。大于这个尺寸的颗粒会引起致命的缺陷。例如，32nm的特征尺寸不能接触16nm以上尺寸的颗粒。 18 硅片加工厂的沾污也可能来自金属化合物。危害半导体工艺的典型金属杂质是碱金属，它们在普通化学品和工艺都很常见。这些金属在所有用于硅片加工的材料中都要严格控制（见表）。碱金属来自周期表中的IA族，是极端活泼的元素，因为它们容易失去一个价电子成为阳离子，与非金属的阴离子反应形成离子化合物。 沾污种类-金属杂质 金属杂质导致了半导体杂质中器件成品率的减少，包括氧化物－多晶硅栅结构中的结构性缺陷。额外的问题包括pn结上泄露电流的增加以及少数载流子寿命的减少。可动离子沾污（MIC）能迁移到栅结构的氧化硅界面，改变开启晶体管所需的阈值电压（见图）。由于它们的性质活泼，金属离子可以在电学测试和运输很久以后沿着器件移动，引起器件在使用期间失效。半导体制造的一个主要目标是减少与金属杂质和MIC的接触。 19 沾污种类-金属杂质 沾污种类-有机沾污 有机物沾污是指那些包含炭的物质，几乎总是同炭自身及氢结合在一起，有时也和其他元素结合在一起。有机物沾污的一些来源包括细菌、润滑剂、蒸汽、清洁剂、溶剂和潮气