“战略性先进电子材料”重点专项2017年度项目(编制大纲).doc

— PAGE 32 — — PAGE 33 — “战略性先进电子材料”重点专项 2017年度项目申报指南 项目申报全流程指导单位：北京智博睿投资咨询有限公司 依据《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006—2020年）》，按照《国务院关于改进加强中央财政科研项目和资金管理的若干意见》及《国务院印发关于深化中央财政科技计划（专项、基金等）管理改革方案的通知》精神，科技部会同有关部门组织开展了《国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项实施方案》编制工作，在此基础上启动本专项2016年项目，并发布本指南。 本专项总目标是：面向国家在节能环保、智能制造、新一代信息技术领域对战略性先进电子材料的迫切需求，支撑“中国制造2025”、“互联网+”等国家重大战略目标，瞄准全球技术和产业制高点，抓住我国“换道超??”的历史性发展机遇，以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心，以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点，通过体制机制创新、跨界技术整合，构建基础研究及前沿技术、重大共性关键技术、典型应用示范的全创新链，并进行一体化组织实施。培养一批创新创业团队，培育一批具有国际竞争力的龙头企业，形成各具特色的产业基地。 本专项围绕第三代半导体材料与半导体照明、新型显示、大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料等4个方向部署35个任务，专项实施年限为5年，即2016 ~ 2020年。按照重点突出、分步实施的原则，2016年首批启动4个方向中的15个任务。对于应用示范类任务，其他经费（包括地方财政经费、单位出资及社会渠道资金等）与中央财政经费比例不低于3：1；对于重大共性关键技术类任务，其他经费与中央财政经费比例不低于2：1。针对任务中的研究内容，以项目为单位进行申报。项目设1名项目负责人，项目下设课题数原则上不超过5个，每个课题设1名课题负责人，每个课题承担单位原则上不超过5个。 1. 第三代半导体材料与半导体照明 1.1 大失配、强极化第三代半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律 研究内容：研究AlN/高Al组分AlGaN及其量子结构、InN/高In组分InGaN及其量子结构的外延生长动力学和缺陷调控规律、光电性质及载流子调控规律；研究蓝光波段高质量量子阱的外延生长动力学，发展提升内量子效率、光提取效率的新机制、新效应和新方法；研究核壳结构量子阱、金属纳米结构耦合量子阱及其光电性质；研究半/非极性量子结构的外延生长、缺陷控制及其光电性质。研究Si衬底和其它大失配衬底上GaN基异质结构的外延生长动力学和缺陷调控规律；研究GaN基异质结构中点缺陷性质及其新型表征手段；研究强电场下载流子输运性质和热电子/热声子驰豫规律；研究表面/界面局域态、体缺陷态对GaN基异质结构及电子器件性能的影响机制和规律。 考核指标：AlN外延层位错密度1×107 cm—2，深紫外波段量子阱发光内量子效率50%；InN室温电子迁移率4000 cm2/Vs；绿光波段量子阱发光内量子效率50%；蓝光波段内量子效率90%；非/半极性面量子阱发光内量子效率50%；核壳结构量子阱Droop效应10%。Si衬底上AlGaN/GaN异质结构二维电子气室温迁移率2300 cm2/Vs；InAlN/GaN异质结构二维电子气室温迁移率2200 cm2/Vs；掌握强电场下载流子输运和热电子/热声子驰豫规律，掌握有效控制GaN基异质结构表面/界面局域态的方法，明确影响和提升电子器件可靠性的物理机制。 预期成果：申请发明专利20项，发表论文50篇。 实施年限：不超过5年 拟支持项目数：1—2项 1.2 面向下一代移动通信的GaN基射频器件关键技术及系统应用 研究内容：研究半绝缘SiC衬底上高均匀性、高耐压、低漏电GaN基异质结构外延生长；设计和研制高工作电压、高功率、高效率、高线性度GaN基微波功率器件；研发低栅漏电流、低电流崩塌效应、低接触电阻GaN基器件制备工艺与提高成品率的规模制备技术及其可靠性技术；研究高热导率封装基材与高频低损耗封装技术；开展GaN基射频电子器件在移动通信宽带、高效率放大设备上的应用研究。 考核指标：4~6英寸半绝缘SiC衬底上GaN基异质结构漏电10 μA/mm，二维电子气室温迁移率2300 cm2/Vs，方块电阻300 Ω/sq；研制出高性能的高效器件、宽带器件和超高频器件，高效器件工作频率2.6 GHz、功率330 W、效率70%，宽带器件工作频率1.8~2.2 GHz、功率330 W、效率60%，超高频器件工作频率30~80 GHz、带宽5 GHz、脉冲功率10 W、效率28%；研制出基于GaN射频器件的高线性度功率放大器系统和多载波聚合功放系统，在移动通信基站领域实现批量应用。形成1~2件国家/行业标准。 预期