集成电路工艺基础——02_氧化学案.ppt

Introduction 硅易氧化 几个原子层厚，1nm左右 氧化膜化学性质稳定，绝缘性好 SiO2的存在形态 晶体：石英、水晶等 石英砂，主要成分为SiO2 ，为制备硅原料的核心材料 非晶体：玻璃等（热氧化方法制备的SiO2） SiO2的作用 在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分 作为集成电路的隔离介质材料 作为电容器的绝缘介质材料 作为多层金属互连层之间的介质材料 作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料 扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层 2.1.1 SiO2的结构 结晶形SiO2的结构 结晶形SiO2是由Si-O四面体在空间规则排列所构成。每个顶角上的氧原子都与相邻的两个Si-O四面体中心的硅形成共价键，氧原子的化合价也被满足。 无定形SiO2的结构 Amorphous SiO2 中Si-O-Si键角为110 o~180o 桥键氧：与两个相邻的Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧 非桥键氧：只与一个Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧 非桥键氧越多，无定型的程度越大，无序程度越大，密度越小，折射率越小……… 无定形SiO2的强度：桥键氧数目与非桥键氧数目之比的函数 结晶态和无定形态区分——非桥联氧是否存在 SiO2结构在制备工艺中的应用 硅要运动，打破四个O—Si 键 氧要运动，打破两个O—Si 键，对非桥键氧，只需打破一个O—Si 键 故氧的运动同硅相比更容易，氧的扩散系数比硅的大几个数量级 氧化时，是氧或水汽等氧化剂穿过SiO2层，到达Si- SiO2界面，与硅反应，而非硅向外表面运动，在表面与氧化剂反应生成SiO2。 2.1.2 SiO2的主要性质（1） 密度：表征致密程度 结晶形：2.65g/cm3 非结晶形：2.15~2.25g/cm3 折射率：表征光学性质 密度较大的SiO2具有较大的折射率 波长为5500A左右时， SiO2的折射率约为1.46 电阻率： 与制备方法及所含杂质数量等因素有关，高温干氧氧化制备的电阻率达1016Ω· cm SiO2的主要性质（2） 介电强度：单位厚度的绝缘材料所能承受的击穿 电压 大小与致密程度、均匀性、杂质含量有关 一般为106~107V/cm（10－1~1V/nm） 介电常数:表征电容性能 SiO2的相对介电常数为3.9 SiO2的主要性质（3） 腐蚀：化学性质非常稳定，只与氢氟酸发生反应 还可与强碱缓慢反应 薄膜应力为压应力 杂质在SiO2中的存在形式 网络形成者：可以替代SiO2网络中硅的杂质，即能代替Si－O四面体中心的硅、并能与氧形成网络的杂质 特点是离子半径与Si原子相近或者更小 三价网络形成者(如B)增加非桥键氧数目，降低SiO2强度 五价网络形成者(如P)减少非桥键氧数目，增加SiO2强度 杂质在SiO2中的存在形式 网络改变者：存在于SiO2网络间隙中的杂质 特点：离子半径大，多以氧化物形式进入SiO2后离化，增加非桥键氧浓度，降低SiO2强度，易运动，破坏电路的稳定性和可靠性。 Na、K、Pb、Ba 水汽的行为类似于网络改变者 2.2.2 杂质在SiO2中的扩散系数（1） ?E为杂质在SiO2中的扩散激活能，Do为表观扩散系数 杂质在SiO2中的扩散系数（2） 杂质在SiO2中的扩散系数 B、P、As等常用杂质的扩散系数小， SiO2对这类杂质可以起掩蔽作用 Ga、某些碱金属（Na）的扩散系数大， SiO2对这类杂质就起不到掩蔽作用 Na离子在SiO2中的扩散系数和迁移率都非常大 Na离子来源非常丰富 Na离子玷污是造成双极器件和MOS器件性能不稳定的重要原因之一 2.2.3 掩蔽层厚度的确定（1） 有效掩蔽条件 杂质的 SiO2有一定厚度 掺杂杂质 B、P、As 等常用杂质在SiO2中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数 B、P、As的杂质源制备容易、纯度高，操作方便 掩蔽层厚度的确定（2） 掩蔽层厚度的确定 杂质在SiO2表面的浓度为在Si- SiO2界面浓度的1000倍时的SiO2的厚度为最小厚度 对恒定源(余误差），浓度为C(x)所对应的深度表达式为： 对有限源（高斯分布），A随时间变化 图2.5 各种温度下能掩蔽磷和硼所需SiO2厚度与杂质在硅中达到扩散深度所需时间的关系 2.3 硅的热氧化生长动力学 CVD（化学气相淀积） PVD （物理气相淀积） 热氧化：硅与氧或水汽等氧化剂，在高温下经化学反应生成SiO2——有什么特点？？ 热氧化生成的SiO2掩蔽能力最强 质量最好，重复性和稳定性好 降低表面悬挂键从而使表面态密度减小，且能很好的控制界面陷阱和固定电荷 硅的热氧化生长（1） 每生长一单位厚度的 SiO