移动通讯用隔离器的功率容量与材料的关系.pdfVIP

文章编号 : 1OO1 383O( 2OOO) O6 OOO5 O3 移动通讯用隔离器的功率容量与材料的关系 韩志全 任仕晶 ( 中国西南应用磁学研究所 四川绵阳 621OOO) 摘 要 : 研究了器件功率容量与材料显微结构 ~ 性能的关系 G 实验表明 : 窄线宽 材料及晶粒尺寸较大的样品不宜用于米波段高平均功率环行器 ~ 隔离器 ; 使用晶粒 较大的样品有助于降低器件的正向损耗 G 关键词 : 隔离器 ; 功率容量 ; 正向损耗 中图分类号 : TN 627 O2 文献标识码 : A 1 前言 微波铁氧体隔离器在移动通讯台站的 发射系统中起着匹配 ~ 隔离滤波 ~ 提高增益 的作用 是系统中必不可少的关键元器件 G 因而米波段高平均功率铁氧体隔离器正在 走俏市场 G 我们通过对材料性能 ~ 显微结构 ~ 工艺等方面的深入研究 改善了器件的性 能 使之备受用户欢迎 G 米波段的铁氧体环行器 ~ 隔离器 因为 体积的关系一般采用集中参数结构 又因其 频率低 为避免零场损耗要选用高场设计 ( 工作磁场 H 高于共振场 H r ) G 对高功率器 件来说工作磁场的选择是很重要的 低场器 件需要将 H 设在主峰与次峰之间 ; 一般认 为 高场器件的工作磁场 H 高于主峰 因而 高功率临界场 / G - 不会发生一级非线 性效应 G 然而 实践表明 用于米波段高功率 隔离器的材料必须具有良好高功率性能 G 在移动通讯发射系统中 隔离器工作于 高平均功率的连续波 对材料的要求为 : ( 1) 较小的有效线宽 AH eff 或线宽 AH 以降低 功耗和温升 ; ( 2) 较低的温度系数 G M 或较高 的居里温度 T G 以防温度频漂 ; ( 3) 较高的 AH K 以避免由主次峰重叠[1] 带来的 / G 很低 而引起的高功率非线性效应 G 对材料来讲 任何提高 AH K 的措施都会带来 AH 和 AH eff 的增加 为了降低 AH 而采取的 In 3+ ~ Sn 4+ 等非磁性离子取代又必然会带来 T G 的降低 和温度系数的增加 G 所以 要想使这些相互 矛盾着的参数同时满足上述要求 难度是很 大的 G 2 实验 用 普 通 陶 瓷 工 艺 制 备 了 分 子 式 为 Y 3 x y/ Dd Z Ca x+ y/ In y Sn y/ Ge x Al x/ Fe 5 x x/ y y/ O 12 的复合石榴石 ( YGdIGS ) 材料 ( 其中 O x x/ O 8; O y y/ O 3; O 1 2) 以 及已定型的 BiCaVIG 材料 X 8 GB G 制备工 艺和常用参数的测量方法同于以前的报 道[2] G 自旋波线宽在 3 MB 27 A 型 AH K 测量 仪上进行测量 G 3 结果和讨论 3. 1 功率容量 隔离器的平均功率容量 P 及基片材料 5 2OOO 年 12 月 磁性材料及器件 收稿日期 : 2OOO-O5-1 的性能 AH~ AH K ~ 晶粒尺寸 c 等示于表 1O 可以看出 , 并不是材料的 AH 越小 P 就越 高 ; P 与材料的 AH K ~ AH 等密切相关 , 例如 使用窄线宽材料 X8GBC AH = 800A/m, AH k = 192A/m) 的平均功率容量最低 O 它 表明 , 虽然不存在由损耗带来的温升问题 , 却会产生由 AH K 较低而带来的非线性效 应 O 在连续波下 , 加载的峰值功率 P A 仅略高 于 P O 为什么在不太高的 P A 下 , 高场器件中 会产生非线性效应 现将其原因分析如下 2 C 1) 在米波段 , c/c m 很低 C 其中 c m = 7M S ) , 主次峰靠得很近或重叠[1] , 因而自旋波很容 易从微波场耦合到能量使 h c 降低 , 当 c/c m 2N T 时 C N T 为基片的横向退磁因子 ) , H 1im H r CH 1im 为 h c - O 的 H) , 加之 H 必 须选在靠近 H r 处 , 这就使得材料有可能工 作于 H r H H 1im 的区域 , 这时 h c 很低 ; 图 1 Dc 2C a ) ~ Dc 1C b ) ~ 1 DA C c ) 和 1 DA 2C d ) 等样品的金相照片 C 500 ) C 2) 调出的器件并非真正的高场器件 , 而是 低场器件 O 前者的情况是较为罕见的 , 经测 量 , 本文的情况属于后者 O 由表 1 可知 , 因