薄膜制备及发光特性的综述分析报告.docx

PAGE \* MERGEFORMAT13 《薄膜技术》课程论文题目： 磁控溅射技术在稀土离子掺杂ZnO 薄膜的制备中的应用 姓名：何仕楠 学号：1511082678 专业：电子与通信工程 目 录  TOC \o 1-3 \h \z \u  HYPERLINK \l _Toc453682747 1引言  PAGEREF _Toc453682747 \h 3  HYPERLINK \l _Toc453682748 2 磁控溅射技术  PAGEREF _Toc453682748 \h 3  HYPERLINK \l _Toc453682749 2.1磁控溅射原理  PAGEREF _Toc453682749 \h 3  HYPERLINK \l _Toc453682750 2.2磁控溅射技术过程  PAGEREF _Toc453682750 \h 5  HYPERLINK \l _Toc453682751 2.3磁控溅射技术特点  PAGEREF _Toc453682751 \h 6  HYPERLINK \l _Toc453682752 3 磁控溅射技术制备稀土离子掺杂ZnO薄膜  PAGEREF _Toc453682752 \h 7  HYPERLINK \l _Toc453682753 3.1 掺杂方式  PAGEREF _Toc453682753 \h 7  HYPERLINK \l _Toc453682754 3.1.1单稀土元素掺杂  PAGEREF _Toc453682754 \h 7  HYPERLINK \l _Toc453682755 3.1.2共掺杂  PAGEREF _Toc453682755 \h 7  HYPERLINK \l _Toc453682756 3.2 衬底材料对不同稀土离子掺杂ZnO薄膜的影响  PAGEREF _Toc453682756 \h 8  HYPERLINK \l _Toc453682757 3.2.1衬底材料Er3+/Yb3+对掺杂的薄膜的影响  PAGEREF _Toc453682757 \h 8  HYPERLINK \l _Toc453682758 3.2.2衬底材料对 ZnO:Eu3+薄膜发光性能的影响  PAGEREF _Toc453682758 \h 8  HYPERLINK \l _Toc453682759 3.3不同稀土离子掺杂ZnO薄膜的发光性能 9  HYPERLINK \l _Toc453682761 4总结 9  HYPERLINK \l _Toc453682762 参考文献  PAGEREF _Toc453682762 \h 10  磁控溅射技术在稀土离子掺杂ZnO 薄膜的制备中的应用全文的格式行距等要统一。第3部分很乱，只是一篇学位论文的内容。所有参考文献在文章中没有引用标注。选题可以，但第3部分要写成多篇文献的总结比较，即都采用磁控溅射技术的文献总结，制备不同掺杂的ZnO体系，获得哪些不同的结果，最后做不同工作的对比和总结展望。 摘要： 稀土离子掺杂ZnO薄膜具有优良的光电性能优势，在光电器件、压电器件、表面声波器件等领域具有广泛的应用前景。本文从制备稀土离子掺杂ZnO薄膜的原理、生长机制等详细介绍了磁控溅射技术,对制备方法和稀土掺杂ZnO薄膜的应用及前景进行综述。 1引言 今年来，各种新的成膜方法不断涌现，成膜质量也得到大大改善。其中,磁控溅射法具有沉积速率高,成膜质量好,可以抑制固相扩散等优点,得到了广泛的应用 REF _Ref16470 \r [1]。此种方法制备的薄膜范围较广，磁控溅射技术的快速发展是始于1974年，J.Chapin提出了平衡磁控溅射原理，解决了溅射镀膜中的两大难题，即低温和高速溅射镀膜。磁控溅射技术的应用领域在20世纪80年代后得到极大的扩展。磁控溅射技术作为一种非常有效的薄膜沉积技术，被广泛的应用于众多领域，比如电子元器件、平板显示技术、大规模集成电路，以及能源、光学、机械工业等产业化领域。 氧化锌（ZnO）属于第三代多功能半导体材料 REF _Ref16787 \r \h [2], 它具有六角纤锌矿型的晶体，属于宽禁带半导体，室温下禁带宽度约为 3.37 eV， 其激子束缚能高达 60 meV，ZnO 作为一种新型的光电材料，在光波导、半导体紫外激光器、发光器件，压电传感器及透明电极等方面应用广泛。稀土元素具有特殊的原子壳层结构，具有优异的磁学、电学