计算机组成原理4.1-4.3分析报告.pptxVIP

第4章 存储子系统;1.存储系统的层次结构 2.存储信息的原理（动态RAM、静态RAM、ROM） 3.存储系统的组织的角度，讨论 1）存储器的逻辑设计 2）主存与CPU的连接 3）DRAM的刷新 4.磁表面存储器 5.光存储器 6.提高存储器系统性能的措施 ;4.1 概述 一、 存储系统的层次结构? 存储系统：容量大、速度快和成本低 ;4.1 概述 一、存储系统的层次结构 ;4.1 概述 一、存储系统的层次结构 ; 1、主存储器;（1） 主存的基本组成;（2） 主存和 CPU 的联系;（3）基本概念 1）位：二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位。 2）存储字：一个二进制数由若干位组成，当这个二进制数作为一个整体存入或取出时，这个数称为存储字。 3）存储单元：存放存储字或存储字节的主存空间。 4）地址：存储单元的编号称为地址。 5）地址编排方案： 存储单元是CPU对主存可访问操作的最小存储单位。CPU访存时有字节编址和字编址两种。;二、物理存储器和虚拟存储器;1.物理存储机制（存储介质）;2.存取方式;（2）顺序存取存储器（SAM）;（3）直接存取存储器（DAM）;（1）主存储器;(2) 存储速度;4.2 半导体存储原理与存储芯片;二、静态RAM芯片（SRAM）;（3）工作;地址端：;X0;芯片容量;三、 动态MOS存储单元与存储芯片;1.四管MOS单元;2.单管MOS单元;地址端：; 动态 RAM 和静态 RAM 的比较;三、半导体只读存储器芯片 掩模型只读存储器MROM 可编程只读存储器PROM 分类 可重编程只读存储器EPROM 电擦除可编程只读存储器EEPROM 闪速存储器Flash Memory 1.掩模型只读存储器MROM MROM芯片出厂时，已经写入信息， 不能改写。; 2. 可编程只读存储器PROM PROM芯片出厂时，内容为全0，用户可用专 用PROM写入器将信息写入，一但写入不能改写 （即只能写入一次）,所以又称一次型可编程只读存储器。? 3. 可重编程只读存储器EPROM 可多次改写 紫外线擦除（有一石英窗口，改写时要将 其置于一定波长的紫外线灯下，照射一定时间 全部擦除，时间长10分钟） EPROM存在两个问题: A.用紫外线灯的擦除时间长. B.只能整片擦除,不能改写个别单元或???别位; 4. 电擦除可编程只读存储器EEPROM 可多次改写 字擦除方式 数据块擦除 5. 闪速存储器(Flash Memory)又称快擦存储器 是在EEPROM基础上发展起来的新型电可擦可 编程的非易失性存储器 特点：高密度/非易失性/读/写, 兼有RAM和 ROM的特点。但它只能整片擦除，可代替软盘和 硬盘。擦写次数可达10万次以上。读取时间小于 10ns。; 如何用半导体存储芯片（SRAM、DRAM、ROM）组成一个实际的存储器。 主存容量小时，采用SRAM；主存容量大时，采用DRAM；主存固化区，采用ROM。 主存的组织涉及： 1.M的逻辑设计 2.动态M的刷新 3.主存与CPU的连接 4.主存的校验 ; 存储器与CPU的连接：地址线的连接，数据线的连接，控制线的连接 1.驱动能力 2.存储器芯片类型选择 3.存储器芯片与CPU的时序配合 4.存储器的地址分配和片选译码 5.行选信号与列选信号的产生;二、主存储器逻辑设计;二、主存储器逻辑设计;二、主存储器逻辑设计;二、主存储器逻辑设计;存储器寻址逻辑;64KB;3.连接方式;片选信号产生的方式： 1）线选：所谓线选方式就是任取一根存储器内部寻址线以外的其它地址线为选片线。 2）部分译码：取部分存储器内部寻址线以外的其它地址线，通过地址译码器产生选片信号。 3）全译码：取全部存储器内部寻址线以外的其它地址线，通过地址译码器产生选片信号。 ? ;片选信号产生的方式（全译码）? ;;例2.某半导体存储器，按字节编址。其中，0000H～ 07FFH为ROM区，选用EPROM芯片（2KB/片）；0800H～1FFFH为RAM区，选用RAM芯片（2KB/片和1KB/片）。地址总线A15～A0（低）。(1)计算芯片数(2)给出地址分配和片选逻辑 (3)画出连接图（全译码）。;A15A14A13A12A11A10A9…A0;（3)画出连接图;例2.某半导体存储器，按字节编址。其中，0000H～ 07FFH为ROM区，选用EPROM芯片（2KB/片）；0800H～1FFFH为RAM区，选用RAM芯片（2