第8章薄膜生长基础学案.pdf

薄薄 膜膜 生生 长长 基基 础础 薄薄 膜膜 生生 长长 基基 础础 薄膜的生长过程 薄膜结构 性能 ? 表面吸附 从蒸发源或溅射源入射到基板表面的气相原 表面吸附 子都带有一定的能量它们到达基板表面之后可能发生三种现 象：与基板表面原子进行能量交换被吸附；与基板表面不进 表面扩散 行能量交换，入射到基板表面上立即被反射回去；就吸附后 气相原子仍有较大的解吸能，在基板表面作短暂停留(或扩散) 晶核形成与生长过程 后，再解吸蒸发(再蒸发或二次蒸发)； 表面扩散 吸附原子的表面扩散运动是形成凝结的必要 岛形成、合并与生长过程 ? 条件 ；吸附原子在基体表面停留时间内所迁移的次数为 τ E ? E 表面扩散激活能E ↑，平均表面扩散距离↓； 连续的薄膜形成 N = = exp( d D ) ED τ D RT 脱附活化能Ed↑，τD↑，平均表面扩散距离↑ τ E ? E N = = exp( d D ) 薄薄 膜膜 生生 长长 基基 础础 τ RT D ? 凝结过程(起始沉积过程） 指吸附原子在基体表面上形成原子对及 其以后的过程 N N 吸附原子在基体表面停留时间内所迁移的次数 ? 吸附原子的捕获面积 SD = σm为单位基体表面上的吸附位数或液态表面的分子数 σ m 所有吸附原子的总捕获面积 σ E ? E S = σS = exp( d D ) ?? = ξvτ ∑ D σ RT ? 起始沉积过程分类 m nv P E ζ = = τ = τ exp( d ) v 4 2πmkT 0 ① 起始不易沉积状态（不发生凝结）N??σ m ;S∑ ??1 RT 此时所有