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Chapter 8 FET元件結構及特性 本章重點一覽 8.1 理想電晶體特性 為什麼需要FET 8.2 n-channel MOSFET物理結構 物理結構 基本工作原理 8.3 n-channel MOSFET特性 電路符號 元件特性 本章重點一覽 8.4 Depletion-type MOSEFET 8.5 Juction-FET 8.6 p-channel MOSFET 物理結構及基本工作原理 元件特性 8.7 FET電路 8.8結語 8.1 理想電晶體特性 之前曾學習R、L、C及D，它們每個都有獨特的V/I關係，但有一個重要的功能卻是它們不容易達成的，那就是信號放大。根本的原因是它們都只有兩個端點，即兩端元件。 假如能自由選擇的話，我們最希望擁有的三端元件特性是什麼？  由第六章的分析比較得知理想的電壓控制電流源(Voltage Controlled Current Source, VCCS)，會是一顆很好的放大元件，因為它能輕易做出放大器。 8.1 理想電晶體特性 一顆以電壓控制電流的三端元件， 是電子工程師心目中的「夢幻元件(dream device)」，可惜它並不存在，但BJT與FET特性皆近似這樣的元件。 當BJT工作在active mode時，其特性為(忽略Early effect)： BJT不夠完美，故予FET出線的機會。BJT最大的缺點在於它的IB (base current)不為零，造成實用上的不便。 8.1 理想電晶體特性 設計B極偏壓時(VB)，由於IB不等於零，選擇R1、R2時必須考慮IB的大小，造成偏壓設計上的不便。 我們通常希望放大器的輸入電阻(Rin)愈大愈好(理想放大器的)。但因為IB不為零，造成CE放大器的Rin不大，是其先天的缺陷。 理想的電晶體最好輸入電流為零。FET最大的優點是輸入端電流為零，而這個優點使它比BJT簡單好用，應用更廣泛。  8.2 n-channel MOSFET物理結構 n-channel MOSFET的物理結構，乍看之下與npn型BJT很相似，但兩者有所不同： 8.2 n-channel MOSFET 物理結構 MOSFET與BJT在結構上大同小異，而它們真正的不同點在於設計觀念上： FET徹底揚棄以pn界面控制電流的想法，改以電場控制半導體內自由電子(或電洞)的流動，同樣達到控制電流的結果。(這是場效電晶體名稱的由來。) 8.2 n-channel MOSFET 物理結構 在SiO2絕緣層加上正電壓(VG) ，當VG足夠大時，聚集在SiO2絕緣層下方的自由電子濃度將高於電洞濃度，形成一長條位於p型半導體內的帶狀n型半導體。由於它的形狀類似一條隧道，所以稱為n型通道(n-channel)。  8.2 n-channel MOSFET 物理結構 因VG吸引而產生的n 型通道，剛好將原來分離的兩塊n型半導體連在一起，成為三塊彼此相連的n型半導體。等效上相當於一顆電阻(R)： 8.2 n-channel MOSFET 物理結構 由於S極和D極的摻雜濃度很高，並且它們的截面積遠比由感應產生的n型通道寬，因此在一般情況下： 在D極和S極間外加正電壓(VDS 0)，可以預期會有電流(ID)由D極流向S極，其大小為： 8.2 n-channel MOSFET 物理結構 由於Rch是由VG感應而生，因此藉VG改變Rch便可以控制ID，所以FET是一顆名符其實的電壓控制電流元件。 因為輸入端(G極)為絕緣層，故IG = 0，使得流入D極的電流必定等於流出S極的電流，所以FET只需考慮一個電流(ID)，是FET比BJT簡單好用的主因。 8.2 n-channel MOSFET 物理結構 在p型的基體(substrate)上，利用doping 產生兩個n型區域 接著在兩個n型區域之間鍍上SiO2絕緣層，最後再連上金屬導線。它之所以稱為n-channel MOSFET是因為由感應所產生的是n型通道 8.2 n-channel MOSFET 物理結構 MOSFET包括作為連線的金屬(Metal)，絕緣層的二氧化矽(Oxide)以及作為主體的半導體(Semiconductor)，三者組合成為以電場控制電流的電晶體(FET)。 三個端點分別稱為閘極(Gate)、源極(Source)和汲極(Drain)。G極作用好似閘門，用來控制通道；S極為帶電載子(自由電子)的源頭，而D極表示帶電載子流入的端點。 8.3 n-channel MOSFET 特性 為防止pn界面處於導通狀態，所以p型substrate必須接