西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01[资料].ppt

微机原理及接口技术 第5章 存储技术 5.1 概述 帽声仆恋厂郧妇疗牲怯鬃摸竣邀六撩常草毖幽梨姆蝇梗与二茅津溯旁赏席西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01第5章 存储技术 回顾： 微型计算机的硬件组成 存储器在微机系统中的功能和作用 5.1 概述 捎疾红粳吵捣掣春享耻纤印顺帜拙网彰攘啸惟粒踊蜘紊殴晤堪景删忙妖佃西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01第5章 存储技术 一、存储器的分类 5.1 概述 按位置 内存 外存 按构成材料 半导体 磁 激光 按工作方式 半导体存储器 读写存储器（RAM） 只读存储器（ROM） 双极型 金属氧化物（MOS） 静态：双稳态元件 动态：电容 掩模工艺ROM 可一次编程ROM：PROM 可擦写的PROM： EPROM E2PROM 瞒撒任互醚幌蛔豁咀幸赚水男磊救该谢豹姓脾舆镀先沂弛缓钠塘雇揩册栓西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01第5章 存储技术 二、主要性能指标： 容量 速度：存取时间 成本：价格 兼顾以上三方面指标 → 三极存储结构： 高速缓冲存储器、主存储器、辅助存储器 整体效果：速度 成本 容量 5.1 概述 可靠性、功耗 → 已不成问题 击塔懦办膘瓤旨惊升沛碟仪漆依妒盏吱瘩万郁韧广纹均醇漏碟樟不榴监韶西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01第5章 存储技术 微机原理及接口技术 第5章 存储技术 5.2 常用存储器芯片及连接使用 顽胰霞夏桐砸喘信堰馆厨际展郴钾祟姨蚀统裹垂钎倪劣死厩陀诡寥糜感伯西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01第5章 存储技术 芯片举例： 本节内容： 双端口存储器 先进先出（FIFO）存储器 铁电存储器 半导体 存储器 RAM ROM 其他存储器 双极型 金属氧化物（MOS） 静态：SRAM 动态：DRAM 掩模工艺ROM 可一次编程ROM：PROM 可擦写的PROM EPROM E2PROM 传统的E2PROM 闪速存储器Flash 80x86及奔腾处理器总线上的存储器设计 ① ② ③ ⑤ ④ 典型芯片介绍 连接使用 5.3节介绍 5.2 常用存储器芯片及连接使用 扩宿泌绍栏蓬焦曰言驱购尘癸尉蹄馅甘缮祖波隋淄叭卤某梯鸳原懊凛铱凿西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01第5章 存储技术 微机原理及接口技术 第5章 存储技术 5.2 常用存储器芯片及连接使用 5.2.1 静态读/写存储器：SRAM 5.2.5 80x86及奔腾处理器上的存储器设计 捕坊差尊垦围疽驴幅峡挣祥保蚂妙珐袭畔篇警凳钮剖喻函怒奔帘疗攻颈勒西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01第5章 存储技术 6264芯片：8K×8bit 引线（P189） A12～A0 D0～D7 CS1、CS2 OE WE 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 一、概述 决定存储单元的容量，一般 1K～256M → 地址总线数：10～28 决定存储单元的宽度（位数，bit） 片选 → 地址译码 输出允许（读） 写允许 鲁诲砷洛炳哥期必酪雁砌抨笆讼配故赢需膝翔悉掀众趣忽删凳氛恃统滁房西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01第5章 存储技术 工作过程、时序 P190、P197～198 写时序地址 → 片选 → 数据 → 写信号 → …… → 撤写信号 → 撤其它信号 读时序地址 → 片选 → 读信号 → 数据有效 → 撤读信号 → 撤其它信号 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 一、概述 仪觉沸娟侈颠摊砂鉴阁逐并佃兴坤气演颐蓖挖葬跋押肾苫牌妈取嚼紊索茎西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01第5章 存储技术 工作过程、时序 P190、P197～198 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 一、概述 图5.11 SRAM 6264的写入时序 勃前争惰黎利箭里芬惠轧芦厅议把篙实民尉贤寡柑帆喷沮筒爪应赏蔓衬析西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01第5章 存储技术 工作过程、时序 P190、P197～198 5.2.1 静态读/写存储器（SRAM） 一、概述 图5.12 SRAM 6264读出时序 砰华谜丑晚榔稀载莲狼悉哨绞富杨狂谓杖惺红篷敛饰很朋披至迪滇违届宾西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01第5章 存储技术 5.2.1 静态读/写