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西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01[资料]
微机原理及接口技术
第5章 存储技术
5.1 概述
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回顾:
微型计算机的硬件组成
存储器在微机系统中的功能和作用
5.1 概述
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一、存储器的分类
5.1 概述
按位置
内存
外存
按构成材料
半导体
磁
激光
按工作方式
半导体存储器
读写存储器(RAM)
只读存储器(ROM)
双极型
金属氧化物(MOS)
静态:双稳态元件
动态:电容
掩模工艺ROM
可一次编程ROM:PROM
可擦写的PROM: EPROM
E2PROM
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二、主要性能指标:
容量
速度:存取时间
成本:价格
兼顾以上三方面指标 → 三极存储结构:
高速缓冲存储器、主存储器、辅助存储器
整体效果:速度 成本 容量
5.1 概述
可靠性、功耗 → 已不成问题
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微机原理及接口技术
第5章 存储技术
5.2 常用存储器芯片及连接使用
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芯片举例:
本节内容:
双端口存储器
先进先出(FIFO)存储器
铁电存储器
半导体
存储器
RAM
ROM
其他存储器
双极型
金属氧化物(MOS)
静态:SRAM
动态:DRAM
掩模工艺ROM
可一次编程ROM:PROM
可擦写的PROM EPROM
E2PROM
传统的E2PROM
闪速存储器Flash
80x86及奔腾处理器总线上的存储器设计
①
②
③
⑤
④
典型芯片介绍
连接使用
5.3节介绍
5.2 常用存储器芯片及连接使用
扩宿泌绍栏蓬焦曰言驱购尘癸尉蹄馅甘缮祖波隋淄叭卤某梯鸳原懊凛铱凿西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01第5章 存储技术
微机原理及接口技术
第5章 存储技术
5.2 常用存储器芯片及连接使用
5.2.1 静态读/写存储器:SRAM
5.2.5 80x86及奔腾处理器上的存储器设计
捕坊差尊垦围疽驴幅峡挣祥保蚂妙珐袭畔篇警凳钮剖喻函怒奔帘疗攻颈勒西安电子科技大学考研复试科目-微机原理与接口技术chap05-01第5章 存储技术
6264芯片:8K×8bit
引线(P189)
A12~A0
D0~D7
CS1、CS2
OE
WE
5.2.1 静态读/写存储器(SRAM) 一、概述
决定存储单元的容量,一般
1K~256M → 地址总线数:10~28
决定存储单元的宽度(位数,bit)
片选 → 地址译码
输出允许(读)
写允许
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工作过程、时序 P190、P197~198
写时序地址 → 片选 → 数据 → 写信号 → …… → 撤写信号 → 撤其它信号
读时序地址 → 片选 → 读信号 → 数据有效 → 撤读信号 → 撤其它信号
5.2.1 静态读/写存储器(SRAM) 一、概述
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工作过程、时序 P190、P197~198
5.2.1 静态读/写存储器(SRAM) 一、概述
图5.11 SRAM 6264的写入时序
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工作过程、时序 P190、P197~198
5.2.1 静态读/写存储器(SRAM) 一、概述
图5.12 SRAM 6264读出时序
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5.2.1 静态读/写
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