PLZT透明铁电陶瓷--欢迎报考中国科学院上海硅酸盐所探究.pdfVIP

PLZT透明铁电陶瓷 一、关于PLZT透明铁电陶瓷 二、PLZT透明铁电陶瓷的发展和主要应用 三、我所研究水平和取得的成果 四、PLZT透明铁电陶瓷的未来 报告内容 一、关于锆钛酸铅镧（PLZT）透明铁电陶瓷 [Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3 (abbreviated as PLZT(x/1-y/y))] 锆钛酸铅镧 具有一般铁电陶瓷所具有 的铁电、介电、压电特性， 同时又具有一般铁电陶瓷 所不具有的高的光学透过 率和多种电控光学效应， 包括电控双折射效应、电 控光散射效应。 在500nm—6000nm波长范围内的光学透过率 可达97-98%（不考虑反射损失） 光学透 过特性 400 600 800 1000 1200 0 20 40 60 80 100 T ra n s m it ta n c e ( % ) Wavelength (nm) 9.0/65/35 1053nm 98.67% 9.5/65/35 1053nm 99.51% 10.0/65/35 1053nm 99.50% PLZT（x/65/35）透明陶瓷及光学透过率 （镀增透膜：?：1053 nm）样品厚度：0.4mm?0.05mm 给各向异性的电介质施加外电场E后，由于压电效应使晶 格产生畸变，介质的折射率n也随之变化，这种由于外电 场引起的晶体折射率的变化现象称为电控双折射效应。 n与E的关系：n=no+aE+bE 2 +? ? ? 电介质的折射率随外电场成线性变化的（由一次项 aE引起）称为一次电光效应； ? 折射率与电场成平方关系的（由bE2项引起）称为二 次电光效应。 PLZT透明铁电陶瓷的电控双折射效应 PLZT材料的室温相图 不同组成PLZT陶瓷的电滞 回线和电控双折射特性 四方相结构 线性电光效应 四方或菱方相结构 记忆效应 假立方相结构 二次电光效应 A B C PLZT透明铁电陶瓷的电控双折射效应 C A PLZT透明陶瓷的电控双折射光调制示意图 电控双折射效应应用原理 PLZT透明铁电陶瓷的电控光散射效应 电畴有序排列； 随外电场转向 而转向。 电畴随 机无序 PLZT铁电透明陶瓷中电畴的形态 (a)未极化 (b)已极化 关键区域：不同方向电畴之间的过渡区域?畴壁—光学折 射率不连续的区域?当光入射到这里时，将发生折返；光 被散射，畴壁成为无数的散射中心，使原本透明陶瓷呈现 磨砂玻璃的性状?入射光被衰减、屏蔽 ? 极化了的粗晶粒陶瓷片（晶粒大于3-4?m），粗晶粒内 电畴发展形成许多散射中心，散射光的强度随着电场强 度的变化而变化——电控光散射效应。代表： PLZT(7/65/35)，对比度：100:1 ? 利用电场诱导的PLZT铁电-反铁电相转变，使材料在电 场作用下由没有光散射的状态（反铁电）转变到光散射 状态（铁电相）。代表： PLZT(7.6/70/30)，对比度： 20:1 PLZT透明铁电陶瓷的电控光散射效应 PLZT透明陶瓷的电控光散射效应 利用电控光散射的光阀示意图 最大透过率与 最小透过率之 比：100：1 除了电控双折射以及电控光散射效应之外， 不同组成的PLZT材料还具有电致伸缩效应、 光致伏特效应、光致伸缩效应等，可根据不 同的效应实现材料的应用。 PLZT透明铁电陶瓷的其它效应 PLZT透明 陶瓷起源 1971年Haertling和Land用La置换Pb(Ti,Zr)O3中一部 分Pb，首次获得PLZT透明陶瓷。 PLZT透明陶瓷的发展 ? 前期工作以PLZT陶瓷制备技术和组成结构，物理性能以及物理本 质（畴结构）为主要研究内容，揭示钙钛矿型铁电材料的许多物 理本质，如极化机制，相变机理等； ? 二十世纪末光通讯技术的迅猛发展，引起PLZT透明铁电陶瓷新 的研究热潮。集中于材料在光开关、光调制器上的应用研究。国 外研制出基于透明铁电陶瓷的光开关和可变光衰减器。 二、PLZT透明铁电陶瓷的发展和主要应用 强闪光 激光 光开关 光衰减器 光 屏 蔽 光 调 制 PLZT透明 铁电陶瓷 光调制器 光隔离器 光衰减器 等等 电光 效应 PLZT透明陶瓷的主要应用 光开关 优点 不足 机械模式光开关 消光比大、温度稳定性好、无迟 滞、偏振无关、成本低 体积大、开关速度慢 （毫秒） 电 光 型 光 开 关 液晶 消光比大(5 db)、加工性好、成 本低 体积大、开关速度慢、 热稳定性差 单晶 （LiNbO3） 体积小、开