气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究3.PDFVIP

3 ? 1 ? 　第 19 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　V o l. 19,N o. 5　 　1998 年 5 月　　　　　　CH INESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　 　M ay, 1998　 3 气态源分子束外延 合金中 2 2 2 2 GeSi 的低温生长动力学研究 刘学锋　刘金平　李建平　孙殿照　孔梅影　林兰英 (中国科学院半导体研究所材料中心　北京　100083) 摘要　 用气态源分子束外延 (GSMBE) 法研究了 Gex Si1- x 合金的低温 (≤500℃) 生长动力学问 题, 所使用的源分别是乙硅烷和固态锗. 在恒定的乙硅烷流量 (4sccm ) Ge 源炉温度 (1200℃) 下, 合金中的 Ge 组分 x 随衬底温度的降低而升高; 另一方面, 当衬底温度 (500℃) 和乙硅烷流 量 (4sccm ) 保持恒定时, 合金中的 Ge 组分 x 最初随 Ge 源炉温度的升高而增大, 当 Ge 源炉温 度升高到一定值以上时, x 值不再随 Ge 源炉温度的升高而增大, 而趋向于饱和在 0 45 附近. 基于乙硅烷及 H 原子在 Si 原子和 Ge 原子表面上不同的吸附和脱附过程, 我们定性地解释了 上述生长动力学现象. PACC: 6855, 6860 近来, 气态源分子束外延法 (GSMBE) 生长 Gex Si1- x Si 异质结合金受到国际上广泛重 视[1 ] , 这种方法的主要优点在于它能够克服 M BE 生长中产生的分裂缺陷以及较难控制的 N 型掺杂, 又能自由地交换生长源而不需将生长室暴露于大气以及能够进行选择外延. 由于 所使用的源中含有氢化物, 因而能够利用氢化物裂解后生产的氢原子覆盖于 Si 衬底表面这 一特点, 达到抑制锗原子表面分凝的作用[2 ]. 然而, GSMBE 生长法具有与M BE 和 U HV CVD 不同的生长动力学过程. 在以乙硅烷 (Si2H 6) 和锗烷 (GeH 4) 为源的 GSMBE 生长系统中, 其生长动力学过程已有 [3～ 5 ] 许多报道 , 在这种组合中, Ge 合金的组分通常只取决于气态源中 Si2H 6 与 GeH 4 的相对 流量比, 而与衬底温度关系不大, 其组分变化范围可以从 0 变化至 1. 研究发现, 若以固态锗 [6, 7 ] (Ge) 源替代气态 GeH 4, SiGe 合金中的组分与异质结界面的控制更加容易实现 . 然而, 这 种组合源的 GSMBE 生长动力学过程却少有报道[8 ] , F. C. Zhang 等曾报道过 SiGe 合金生 长在 630℃时, 随着 Ge 束流的增加, Ge 组分从 0 变化至 1, 其生长过程类似于用双气源氢化 物. 在更低的