衬底对CVD生长石墨烯的影响探究.pdfVIP

收稿日期: 2013-07-09 作者简介: 张玮( 1988-) ，男，湖北武汉人，研究生，研究方向: 微波等离子体制备石墨烯膜。 衬底对 CVD 生长石墨烯的影响研究 张 玮，满卫东，涂 昕，林晓棋 ( 武汉工程大学 湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，武汉 430073) 摘要: 石墨烯有独特的结构和优异的性能，在电子、信息、能源、材料和生物医药等领域都有着广阔的应用前景。 为了更好的应用这种新型材料，如何大规模可控合成高质量石墨烯是一个必须克服的困难。相比与机械剥离法、化 学氧化还原法和碳化硅表面外延生长法，化学气相沉积法( CVD) 因其可以生长大面积高质量连续石墨烯膜而倍受 关注。基于石墨烯的生长机理，从衬底材料的角度，综述了近几年衬底对 CVD 生长石墨烯的影响的研究进展。展望 了衬底选择的发展新趋势。 关键词: 石墨烯; 化学气相沉积; 衬底; 生长机理 中图分类号: O782 + ． 7 文献标志码: A 文章编号: 1006 － 7086( 2013) 04 － 0195 － 09 DOI: 10． 3969 / j． issn． 1006 － 7086． 2013． 04． 002 SUBSTＲATES FOＲ CVD GＲOWTH OF GＲAPHENE ＲESEAＲCH ZHANG Wei，MAN Wei-dong，TU Xin，LIN Xiao-qi ( Provincial Key Laboratory of Plasma Chemistry and Advanced Materials，Wuhan Institute of Technology，Wuhan 430073，China) Abstract: Graphene has a unique structure and excellent properties． It has broad application prospects in electronics，infor- mation，energy，materials and biomedicine and other fields． For a better application of this new material，how large quality- controlled synthesis of grapheme is a necessary overcome difficulties． Compared with the mechanical exfoliation，chemical ox- idation-reduction and epitaxial growth on SiC，chemical vapor deposition ( CVD) method has been receiving significant atten- tion because of it can grow high-quality large-area grapheme films． Based on the growth mechanism of grapheme，the recent substrates for CVD growth of grapheme research from the perspective of the substrate material is reviewed． Finally，the devel- opment of new trends in substrate selection are prospected． Key words: graphene; chemical vapor deposition; substrate; growth mechanism 1 引言 2004 年英国曼彻斯特大学的 Geim 研究小组首次制备出稳定的单层二维( 2D) 石墨烯，震撼了整个物理 界［1］，这样加上零维( 0D) 富勒烯 ( C 60 、 C 70 ) 一维 ( 1D) 碳纳米管、三维 ( 3D) 金刚石和石墨，人类构成了从 0D ～3D的完整的碳材料体系。石墨烯是一种由以 sp2 杂化轨道的碳原子成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜， 厚度只有 0． 335 nm，是目前世界上最薄的二维材料，其 c-c 键长约为 0． 142 nm［2］。这种特殊结构蕴含了丰 富而新奇的物理现象，使石墨烯表现出许多优异的性质［3 － 6］。石墨烯目前是世界上最薄也是最坚硬的纳米 材料［7］; 几乎完全透明，光吸收仅为 2． 3%［8］; 优异的电学性能，室温下电子迁移率 2 × 105 cm2 / ( V·s) ［9］; 杨氏模量 1 100 GPa，断裂强度 130