碳一硅合金的硅脆与硅的偏析了.PDFVIP

维普资讯 一 f， m和 n 的分配关系确定另一个子系统各单元的截面 五、结束语 积 ，然后两子系统计算的直浇道相加为组合系统直浇 道截面积 。 在设计非对称型浇注系统时 为 了保证各内浇道 ②两个子系统的出流流量相等 ，且每个子系统各 等截面 等速、等量出流，或者实现直浇道两侧横浇 自的内浇道等速等量 出流，即 道不等量出流，可以将浇注系统分解成几个子系统，在 1 几何压头相同并满足一定的浇道截面比关系的条件 ZF3L一三，：2=+ZF3—156lcm 下，按照大孔出流理论分别进行设计，然后再进行叠 子系统 1 F}j一三Fj1／nI一15．61／6—2．6cm 加组合 这种非对称型浇注系统设计方法简便易行 ，能 子系统 2 F ZF3}．／n2—15．61／3=5．2cm 够有效地对充填过程和铸件质量进行控制 ，适用于大 在满足截面比相同的条件下 ．两个子系统的横浇道截 中型铸件和一箱多件情况下非对称型浇注系统的设 面积为 F2I= ’22—1／2Zb’2—18．75cm 。 计 。 (i0)根据各单元截面积及形状计算几何尺寸 卒 例直浇道为圆形截面 ( 65cm)；横浇道为梯形 ，上底 参 考 文 献 为4．0cm，下底为4．5cm，高为4．0cm；内浇道为半圆 】 李魁盛．铸造工艺没计基础．北京：机械工业 出版柱，1981 2 魏兵一袁森 浇注系统截面 比与 内浇口出流速度关系的研究 铸造 形截面 (R=1．5cm)。 技术 ，1991 (1) 在铸件上表面安设 6只O3．0cm 的出气冒口，采 3 魂兵 浇注系统大孔 出流工程汁算及生产应用．铸造挂术 ．】991 (4) 用上述浇注系统浇 出的铸件加工后无缩孔、缩松缺陷， 4 铸造手册 【铸造工艺分册) 北京 ：机械工业出版社 ，1996：183 工艺出品率达 92 。 (编辑 ：田秀全 ) 铁一碳一硅合金的硅脆与硅的偏析 了 6 ， 山东I业大学 (济南 25006i) 季秀真 刘太强 于化顺 杨士浩 【提要】硅在铁素体晶界上没有富集 ．硅在石墨球周围存在着明显的偏析 高温退火能消除石墨 球周围的偏析。硅量低于硅脆 的临界硅含量时，随着偏析的消除韧性有所增加；硅量高于硅脆的临界 硅含量对，其脆性不因偏析消除而减少 ，反而有所增加 。指 出偏析不是 引起硅脆 的根本原 因，硅脆是 目：各体发生有序转变的结果。 关键词：堡二至壁垒垒堕 堡塑长程有序转变 铸谈 TheSiliconBrittlenessand itsSegregationinFe—C—SiAlloys