脉冲高能量密度等离子体法制备!#薄膜及其摩擦磨损性.PDFVIP

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脉冲高能量密度等离子体法制备!#薄膜及其摩擦磨损性

脉冲高能量密度等离子体法制备 !# 薄膜 及其摩擦磨损性能研究! 刘元富! 张谷令 王久丽 刘赤子 杨思泽 (中国科学院物理研究所,北京 ###$# ) ( %## 年 ’ 月 日收到; %## 年 ’ 月 % 日收到修改稿) 利用脉冲高能量密度等离子体技术在室温条件下在 (’ 号钢基材上制备出了超硬耐磨 )*+ 薄膜 , 利用 -./ , -01 , 231 , 134 等手段分析了薄膜的成分及显微组织结构,并测试了薄膜的硬度分布及摩擦磨损性能 , 结果表明:薄 膜主要组成相为 )*+ ,薄膜组织致密、均匀,与基材之间存在较宽的混合界面;薄膜硬度高,在干滑动磨损实验条件 下具有优异的耐磨性及较低的摩擦系数 , 关键词:脉冲高能量密度等离子体, )*+ 膜,显微组织,耐磨性 $% : ’%5’. , (%5$6 , 7($#8 , (7#0 !国家“ $7 ”计划(批准号: %##%2#%# )和国家自然科学基金(批准号: #%5’#$$ )资助的课题 , ! 39:*; : =:?=;*=@ :ABB, CB9, C D 引 言 )*+ 为面心立方结构,具有硬度高、耐磨性好、 摩擦系数低、耐蚀性优异、化学稳定性好等一系列性 能优点,因此, )*+ 超硬耐磨薄膜被广泛用作刀具、 冷作及热作模具的表面改性层[—’] , 从已有文献报 道来看, )*+ 薄膜的制备手段大多数集中于物理气 相沉积( 0E/ )工艺 , 0E/ 工艺固然存在着工艺过程 简便、工作温度低( $# — ’##F )、应用范围广等优 点,但也存在着改性层与基材之间结合强度较低的 缺陷 , 脉冲高能量密度等离子体( 063/0 )薄膜沉积 技术是近年发展起来的较新的等离子体材料表面改 性技术,与物理气相沉积、化学气相沉积及等离子体 源离子注入等常规工艺[7,5]相比较,其技术优势主要 体现在:该技术集高速淬火(自淬火速度高达 # 5— # # GHI )、溅射制膜和离子注入于同一过程;沉积可 在室温条件下进行,基材基本无变形;沉积速率高; 产生的新相不受平衡相图的限制(在合适的工艺参 数下可获得介稳相甚至非晶);由于具有离子注入效 应,薄膜与基材之间具有较高的结合强度[$,J] , 利用 脉冲高能量密度等离子体技术已成功制备出了立方 K+ , )* ( L+ ),类金刚石膜等薄膜[#,],脉冲高能量密 度等离子体陶瓷表面金属化的研究工作业已取得了 一些阶段性成果[%] , 本文利用 063/0 技术在 (’ 号 钢基材表面制备出了表面光滑、组织致密、均匀的以 )*+ 为主要组成相的表面改性层,分析了薄膜的成 分及显微组织结构,测试了薄膜的纳米硬度分布,在 室温干滑动磨损试验条件下测试了薄膜的摩擦磨损 性能 , % D 实验方法 脉冲高能量密度等离子体薄膜沉积装置为本实 验室自行研制,其工作原理如文献[ , ( ]所述 , 选 用纯度为 JJDJM 的氮气作为工作气体,同轴枪内外 电极材料均为工业纯钛 , 以获得表面光滑、组织致密 均匀的优质薄膜为依据,优化后的工艺参数为:充电 电压 ! N= O PE ,脉冲次数 Q=;IR O %# ,工作气体气库 压力 # S O #D’40: ,样品靶室内的真空度为 # T 0:, 以正火态 (’ 号钢作为基材,试样加工成 ! ’99 U 99 的圆形薄片,经丙酮超声清洗,吹干后放入真 空室 , 利用 134 ( 1 T (%## ), -./ ( /H9:V T .K , L= $ #D’(9 ), -01 ( 4G # , 4N $ ,通过能为 ’#RE ), 231 ( 06W T 7# )分析薄膜的成分及显微组织;利用 4) 公司产 -0 型纳米压痕仪测试薄膜的纳米硬度梯度 分布;利用 44%## 型摩擦磨损实验机在室温干滑动 磨损试验条件下测试薄膜的摩擦磨损性能,对磨偶 第 ’ 卷 第 % 期 %##( 年 % 月 ###X%J#H%##(H’ ( #% ) H#’#X#’ 物 理 学 报 2L)2 06Y1WL2 1W+WL2 EB;,’ , +B,% , ZRS[=:[ , %##( $ %##( LA*, 0AI, 1BC, 件为淬火的 !#$% 钢环( ’ ! () ),法向载荷 *+, , 以淬火 *% - 钢作为对比样,相对滑动速度 ./+0123 , 磨损时间 4.156 ,用 789 : %(..; 型扫描电镜测量 磨痕尺寸,由此计算出磨损体积损失 = 图 $ *% - 钢表面 ?@ 法沉积薄膜表面扫描电镜照片 4/ 实验结果及分析 *% - 钢表面 ?@ 法沉积薄膜外观呈金黄色, 表面平整、光滑,无气孔、裂纹等宏观缺陷 = 图 $ 为薄 膜的 8?9 表面形貌,可见,薄膜组织均

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