ADI_培训介绍选编.ppt

After Development Inspection Introduction 显影后检查介绍 光刻模组 马万里 2007.10.15 目录 ADI的一些技巧 ADI作业流程和方法 产品各层检验要点 常见的光刻监控图形以及作用 各产品光刻图形 主要缺陷类型 常见异常的处理方法 ADI作业流程方法 ADI 缺陷 检查 线宽测量：非关键层不需要 套准测量：第一层不需要 显微镜检查 （镜检） 宏观检查 （光检 ） 1.正面检查 2.背面检查 常见的监控图形以及作用1 1 游标 － 各层图形套准检查 2 dagger － 监控shot内曝光均匀性 3 版偏转 － 检查光刻机步进误差 4 OVERLAY － Q7测试用 针头对应的位置为读数。SHOT内不同位置的读数差不能超出3 测量两边的间距，断定是否偏 注意读数与图形所偏方向的关系 每个SHOT内只有一处有此标记，位于SHOT起点 常见的监控图形以及作用2 5 九方格 － PAD层套准检查 6 CD BAR － 曝光量监控（品字可读） 只用于套刻要求很松的层次 7 LOGO － 常用于Q7测试时的对准点 对准点 品字型的也可读，右侧是曝光量偏小、正常、偏大的三种情况 8 版ID － 注意检查是否用错版 有些层次，对应很多版，如ROM层，需要十分小心 主要缺陷类型1 √ √ √ √ √ √ √ 光 检 √ √ √ Q7 SM 在各shot内某固定位置出现散焦，影响整个圆片 在shot边缘或四角出现散焦，但各shot的散焦位置不定 wafer边缘出现散焦 连续多片甚至多批的同一位置出现散焦 由于wafer背面沾污导致的散焦，面积较大 由于wafer背面粘附有颗粒导致的散焦，面积较小 孔不在图形的中心 九方格检查不合格或套准测量/读数结果超出规范 由于对准过程中出现异常报警导致的套准不良 第一层光刻，版偏转游标读数结果大于0.1um 第一层光刻，平边处左右图形离平边距离相差大于1mm CD测量结果超出规范 异常描述 找平散焦 shot边角散焦 边缘散焦 载片台沾污 背面沾污 背面颗粒 散焦 3 √ 孔偏 套准不良 √ 对位报警 √ 版偏转 √ 预对准偏 对偏 3 CD偏小 CD偏大 CD 1 镜检 异常项目 异常大类 NO. 主要缺陷类型2 √ wafer图形中的掩模版代码与流程卡不符 用错掩模版 曝光异常 √ 两层光刻图形相互错位 图形错位 √ √ 去边宽度超出1.5±0.5mm规范，或边缘仍然有胶残留 去边不良 涂胶异常 √ √ √ √ √ 光 检 Q7 SM dagger标记读数结果超出规范 wafer上的部分有效区域没有被曝光 图形中残留光刻胶颗粒或底膜 胶连、暗影等没有光刻开的现象 由于步进距离或挡板位置不正确导致的缺陷 重复出现在每一个shot内的同一位置 图形掀起或脱落，甚至大面积掉胶 圆斑状胶/EBR回溅异常 光刻胶里有气泡、胶头不干净或其它原因导致的涂花(PAD) 边缘呈锯齿状甚至大面积缺胶 由于表面有颗粒、纤维等导致的涂花 异常描述 √ 曝光不均匀 √ 曝光不完全 √ 显影不净 √ 连条或瞎窗 √ 窗口缺陷 √ 版缺陷 5 √ 浮胶 √ 回溅 涂胶不良 胶量不足 沾污涂花 4 镜检 异常项目 异常大类 NO. 主要缺陷类型3 √ wafer有缺口、裂痕等（引起碎片） 晶圆破损 其它异常 √ √ √ 光 检 Q7 SM 以上各项目没有包括的异常项目 表面颜色明显不均 氧化层、薄膜层内有沾污物 光刻胶层之下的划伤 光刻胶层被划伤，导致本层光刻图形损坏 异常描述 其他 √ 表面花 √ 沾污 胶下划伤 √ 胶划伤 6 镜检 异常项目 异常大类 NO. 主要缺陷类型4 常见异常的处理1 对偏的补偿处理 产生原因？ 1. Stage 步进精度 2. 标记受埙，位置信息采集不准确 3. 晶片本身形变 4. 程序设置 处理办法？ 根据五点的测量/读数值，确定采用何种方式。（补偿 / DBD） 少数几个shot对偏过大，其他位置对准良好，可以采用DBD模式。 整片都偏，并且方向基本一致，采用补偿的方式。（X/Y OFFSET） 注意补偿的方向和数值。 更换曝光对位标记 （换其他层次的程序曝光，比如metal的换成cont程序曝，但要注意曝光量和FOCUS） 两种游标，读数都是+0.1，那么补偿值应该设置为多少？是正/负？ X：偏右补负 偏左补正 Y：偏上补负 偏下补正 常见异常的处理2 散焦的处理 产生原因？ 晶片本身脏污造成局部起伏过大