半导体材料导论4讲解.pptVIP

第4章　对半导体材料的技术要求 材料学院 徐桂英 * 半导体材料 第4章　对半导体材料的技术要求 半导体材料的实际应用是以其作出的器件来实现的。 器件对材料的要求总的说来有两个方面: 一方面是根据器件的功能来选择能满足其性能的材料，这包括材料的能带结构、晶体结构、迁移率、光学性质等； 另一方面，在材料选定后，要使材料具有相应的物理参数与化学纯度，以保证器件获得良好的功能，同时为了保证器件工艺的实施，还要求材料具有相应的几何尺寸。 一般都要求材料的本底纯度高、晶体缺陷少、晶体的尺寸大、加工精度高等。 这就涉及到材料的化学组成、晶体缺陷、几何精度等方面的问题。 4.1化学组成 4.1.1 杂质的种类与行为 1. 电活性杂质。 根据2.3节所述，由于杂质原子的价电子数与本体材料的价电子数不同，从而形成施主或受主。如果这些杂质的能级是在导带底或价带顶附近（图3.2）称为浅施主或浅受主。 这些杂质会影响材料的电阻率、迁移率等。因此要将它们的浓度尽量降低。但在半导体材料或器件的制备过程中也常常利用某种浅施主或浅受主杂质来形成n型或p型半导体。 这些杂质都分布在周期表中与本体材料邻近的一族中。由于它们所形成的能级与导带或价带靠得非常近，因此它们的解离能非常小，在室温下就可以完全解离。 另一类电活性杂质的电离能较大，它们的能级位置靠近禁带的中部，这类杂质称为深能级杂质，它们常常有几个能级，在室