半导体物理第一章.2讲解.ppt

Ec Ev EA 受主能级靠近价带顶部 (2)受主电离能和受主能级 Si、Ge中 Ⅲ 族杂质的电离能△EA（eV） 晶体 杂 质 B Al Ga In Si 0.045 0.057 0.065 0.16 Ge 0.01 0.01 0.011 0.011 受主能级EA 受主杂质的电离能小，在常温下基本上为价带电离的电子所占据（空穴由受主能级向价带激发）。 杂质电离或杂质激发： 杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）。 本征激发： 电子从价带直接向导带激发，成为导带的自由电子，这种激发称为~。 只有本征激发的半导体称为本征半导体。 所需要的能量称为杂质的电离能。 掺施主的半导体的导带电子数主要由施主决定，半导体导电的载流子主要是电子（电子数空穴数），对应的半导体称为N型半导体。 称电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子。 掺受主的半导体的价带空穴数由受主决定，半导体导电的载流子主要是空穴（空穴数电子数），对应的半导体称为P型半导体。 空穴为多子，电子为