半导体物理学-chap2讲解.pptVIP

正、负电荷所处介质的介电常数为： Impurity-doped Silicon 估算结果与实际测 量值有相同数量级 Ge： △ED ～ 0.0064 eV Si: △ED ～ 0.025 eV Impurity-doped Silicon 2.1.5杂质的补偿作用 当NDNA时 n= ND-NA ≈ ND，半导体是n型的 当NDNA时 p= NA-ND ≈ NA，半导体是p型的 当ND≈NA时 补偿半导体 有效杂质浓度 补偿后半导体中的净杂质浓度。 2.1.6深能级杂质 非Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge的禁带中产生的施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。杂质电离能大，能够产生多次电离 特点 多为替位式杂质 硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底、受主能级距离价带顶较远，形成深能级，称为深能级杂质。 深能级杂质能够产生多次电离，每次电离均对应一个能级。 （1）浅能级杂质 （2）深能级杂质 △E D≮Eg △EA≮Eg △E D △EA EA E D E D EA Ec Ec Ev Ev △EDEg △EAEg Impurity-doped Silicon E D EA 在元素半导体中的替位受主和施主 Impurity-doped Silicon 例1：A