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半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（ 极间） 电容， 表示在二极管两端加规定偏压下， 锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下， 稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（ 正向测试电流） 。锗检波二极管在规定的正向电压VF 下，通过极间的电流； 硅整流管、硅堆在规定的使用条件下， 在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（ 平均值） ， 硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流； 测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（ AV） ---正向平均电流IFM（ IM） ---正向峰值电流（ 正向最大电流） 。在额定功率下， 允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH---恒定电流、维持电流。Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（ 浪涌电流）Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---