第一章2极管06.2探析.ppt

序 学生： 教师：赵安 课程位置： 1.电路分析 2.信号系统 3.电子线路（线性） （非------） 4.数字电路 课程特点：实践性强，条理性差，内容杂。 参考书：《电子线路（第四版）教学指导书》 汪胜宁等著 高教出版社 课程内容： 1.器件： 线性器件：电阻、电容、电感。 非－－－：二极管、三极管、场效应管、集成块。 I I 2.电路： 放大器 运算电路 如何学： 预习－－上课－－作业－－实验－－复习－－考试 不旷课 及时 1.3.2晶体二极管的分析方法 二. 温度特性 (1) 温度每升高 10℃，IS 约增加一倍。 (2) 温度每升高 1℃，VD(on) 约减小 2.5 mV。 势垒电容 CT ：势垒区内空间电荷量随外加电压变化 产生的电容效应。 扩散电容 CD ： 　　阻挡层外(P 区和 N 区)贮存的非平衡电荷量,随外加电压变化产生的电容效应。 CT(0) CT V O xn 少子浓度 x O -xp P+ N 三.电容特性 PN 结总电容： Cj = CT + CD 变容二极管 变容二极管的电路符号 变容二极管实物图 发光二极管 光敏二极管 （2） PN 结反偏时，CT CD ，则 Cj ? CT PN 结总电容： Cj = CT + CD （1） PN 结正偏时，CD CT ，则 Cj ≈ CD 通常：CD ? 几十 pF ~ 几千 pF。 通常：CT ? 几 pF ~ 几十 pF。 小结 ID V VD(on) -IS Si Ge O VD(on) = 0.7 V IS = (10-9 ~ 10-16) A 硅 PN 结 VD(on)= 0.25 V 锗 PN 结 IS = (10-6 ~ 10-8) A (1) 温度每升高 10℃，IS 约增加一倍。 (2) 温度每升高 1℃， VD(on) 约减小 2.5 mV。 1.3 晶体二极管电路的分析方法 1.3.1 晶体二极管模型 　　晶体二极管的内部结构就是一个 PN 结。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示为不同形式的模型： 2. 数学模型：便于计算机辅助分析 1. 伏安特性曲线模型：适于任一工作状态 (1) 直流简化电路模型 (2) 交流小信号电路模型 电路分析时采用 3. 电路模型： 1. 伏安特性曲线模型：实测得到 （1）当V VD(on) 时：导通 （2）当V VD(on) 时：截止 （3）当V ? V(BR) 时：击穿 导通电压 击穿电压 Si: VD(on)=0.7V Ge: V(on)=0.25V 2. 数学模型——伏安特性方程式 理想模型： 修正模型： 其中：n —非理想化因子 I 正常时：n ? 1 I 过小或过大时：n ? 2 rS — 体电阻 + 引线接触电阻 + 引线电阻 注意：考虑到阻挡层内产生的自由电子空穴对及表面 　　　漏电流的影响，实际 IS ?? 理想 IS。 2 1 3 4 + VD(on) RD 3.电路模型 (1)直流简化电路模型 D I=IS(eV/VT-1) V=VD(on)+IRD + VD(on) 伏安特性曲线 折线伏安特性曲线 VD(on) I V RD 1/RD 导通电阻 1 2 VVD(on) : 导通 VVD(on) : 截止 V0 : 导通 V0 : 截止 VD(on) VD(ON) V I V I 折线伏安特性曲线 理想伏安特性曲线 4 3 (4)小信号电路模型 小信号电路模型 rs rj Cj I V Q （1）rs：PN 结串联电阻，数值很小。 （2）rj：为二极管增量结电阻。 （3） Cj：PN 结结电容， 由 CD 和 CT 两部分构成。 其中： 例1：求二