直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究详解.pdf

, 第 卷 第 期 物 理 学 报 · , 年 月 人 直拉硅单晶原生涟涡缺陷的研究 段 沛 高 萍 唐基友 湖 南省 分 析测 试研究所 年 月 日收到 提 要 本文 用 化学腐蚀方法 , 从含有漩涡缺陷 的原生 硅单 晶 中分离出 尺寸在 。。一 入 间的氧沉淀 , 制成萃取复型样品 , 用 对氧沉 淀作微 区 电子衍射分 析 同时 , 观察硅薄 膜 中漩涡 缺陷的 丁 象 , 确定 了二者的 对 应关系 结果表明 , 构成漩涡缺陷的氧沉淀主要是 呈 方形 片的热液石英 , 及 及少量 呈六 角片的 。 方英石 。一 , 沉淀片 周 边沿 方向 , 惯 习面前者的为 。 , 后者的为 样品 的红外吸收光谱表明 , 方片状 热 液石英沉 淀可 能与 “ 一 , 吸收峰 相对应 一 、 引 言 原 生直拉 无位 错硅 单 晶 , 有 的 经化学 腐蚀后 , 在 其横截面 上显示 出类似于 区 熔 单晶漩涡 缺 陷花纹 的 图形 , 并称 之 为 硅单晶 原 生漩涡 缺 陷 , 以区 别 硅 中 由退 火处 理 引起 的 漩 涡 状分布 的 缺 陷 含有原 生 漩 涡缺 陷 的硅 片 , 在 一 定 的热工 艺 中会诱 导 出各 种 二 次 缺 陷 , 从而影 响大规模集 成 电路 的 成品 率 、 稳 定 性和可 靠性 因此 , 硅 单晶原 生 漩 涡 缺 陷 的研 究受 到 广泛 重视 硅 单 晶在 生长 过 程 中 , 引人 了大量 杂质 , 特 别是 氧 , 一 般到 招 水 平 , 使 硅 中漩涡 缺 陷 的形 成过 程 较 区熔 单 晶 的 复 杂 同时 , 研 究 者的具体 生长工 艺常 相互 存 在 着 差别 这 导 致 了观 察和研 究 工 作 的 多种 结 果 等人 山认 为 硅 中也形成 有 些 类似 于 区熔 单 晶 的 型 填隙 型位 错环 、 型 空位 型沉 淀粒 子 和 型 结构不 明 的 漩涡缺 陷 , 虽研 究 材 料 中含高浓 度的 氧 , 但 未见 氧 沉 淀 等 人 切观 察到 硅 原 生漩涡缺 陷 花 纹 由处于位 错 环 中心 的氧沉