第五章透射电子显微镜结构综述.ppt

第五章 透射电子显微镜结构;第五章 透射电子显微镜结构;胡克显微镜;;现代科学技术的迅速发展，要求材料科学工作者能够及时提供具有良好力学性能的结构材料及具有各种物理化学性能的功能材料。而材料的性能往往取决于它的微观结构及成分分布。因此，为了研究新的材料或改善传统材料，必须以尽可能高的分辨能力观测和分析材料在制备、加工及使用条件下（包括相变过程中，外加应力及各种环境因素作用下等）微观结构和微区成分的变化，并进而揭示材料成分—工艺—微观结构—性能之间关系的规律，建立和发展材料科学的基本理论;;;普通光学显微镜与TEM工作原理的比较;5.1 光学显微镜的分辨率;点光源通过透镜产生的Airy斑半径R0的表达式为 其中：λ—光波长；n—透镜折射率；α—透镜孔径角；M—放大倍数 假设有两物点通过透镜成像后，在像平面上得到两个Airy斑。当两个物点由远而近相互靠近时， 其相应Airy斑也相互靠近直至发生重叠。;;能够分辨两个Airy斑的判据——两个Airy斑的中心距离等于Airy斑的半径。此时在强度曲线上，两峰之间谷底的强度降低了19%。 ;;一般，人眼分辨率为0.2mm，光学显微镜使人眼分辨率提高了1000倍，称为有效放大倍数。所以光学显微镜放大倍数在1000 ~1500，再高的放大倍数对提高分辨率没有实际贡献（仅仅是放大图像的轮廓，对图像细节没有作用）。 问题：如何再次提高分辨率？ 由 知，提高分辨率的关键是降低照明源的波长。; 5.2 电子波波长 电子波的波长取决于电子运动的速度和质量，即 电子运动速度v和加速电压间关系为：;综合得电子波波长为： 由上式可以看出，电子波波长λ与加速电压U成反比，U越高，电子运动速度v越大，λ越短。 当电子速度较低时，m接近电子静止质量m0；当电子速度较高时，电子质量需要经过相对论校正，即;不同加速电压下的电子波波长见表5-1。目前TEM常用加速电压在100kV~1000kV，电子波波长范围在0.00371nm ~ 0.00087nm。比可见光短了约5个数量级。 问题：电子波波长很短，按照极限分辨率公式，电子显微镜的分辨率应该比可见光高很多的，但目前电子显微镜的最高??辨率仅为0.1nm，仅比可见光高出3个数量级，为什么？; 5.3 电磁透镜 电子波经过非均匀电场和磁场时产生会聚和发散，达到成像的目的。电子波发生聚焦的装置称为电子透镜，分为两类：静电透镜和磁透镜。后者根据所用磁场的不同又可分为恒磁透镜和电磁透镜。 ;;5.3.2 电磁透镜 ⒈电磁透镜聚焦成像原理 电磁透镜是采用电磁线圈激励产生磁场的装置。电子束在电磁线圈中的运动轨迹是一条圆锥螺旋曲线。 ;当电子沿线圈轴线运动时，运动方向与磁感应方向一致不受力，电子以直线运动通过线圈；当电子偏离轴线运动时，受磁场力作用发生偏转，最后聚焦在轴线的一点。;电子进入磁场时，将受到磁场强度径向分量Br作用，产生切向力Ft，使电子得到切向速度vt， vt又与Bz叉乘的到Fr（径向力），使电子向主轴偏转。经过透镜后， Br方向改变， Ft反向，但只使vt变小，不会改变方向，因此电子穿过线圈后仍向主轴靠近，最终形成螺旋线状聚焦。;2、电磁透镜结构 电磁线圈：产生磁力线 软铁壳：提高磁力线密 集程度，从而提高磁感应强度，增大对电子折射能力 极靴：使磁场强度有效集中在狭缝几毫米范围内。 ;;电磁透镜成像时满足光学透镜成像基本公式，即物距u、像距v和焦距 f 满足下式： 对于电磁透镜，其焦距 f 是可以改变的，f 常用近似公式为： 式中K为常数；Ur是经相对论校正的电子加速电压；IN是线圈的安匝数。 改变激磁电流可以方便地改变电磁透镜焦距。且电磁透镜焦距 f 总为正的，表明电磁透镜只有凸透镜，不存在凹透镜。;5.4 电磁透镜的像差及其对分辨率的影响;5.4.1 球差—Δrs 球差—由于电磁透镜近轴区域和远轴区域磁场对电子折射能力不同而产生的一种像差。;;TEM;5.4.2 像散 像散——由于透镜磁场的非旋转对称引起的像差。极靴内孔不圆、上下极靴轴线错位、极靴材质不均匀以及周围的局部污染都会导致透镜的磁场产生椭圆度，使电子在不同方向上的聚焦能力出现差异。 ;一个理想物点P经透镜折射后在像平面上形成散焦圆斑，前后移动像平面得到一个最小散焦圆斑2RA ，折算到物平面上得到一漫散圆斑2ΔrA。;TEM;5.4.3 色差 色差——由于成像电子的能量不同或变化，从而在透镜磁场中运动轨迹不同，不能在一点聚焦而形成的像差。;如图示，不同能量电子聚焦位置不同，一个理想物点P经透镜折射后在像平面上形成散焦圆斑，前后移动像平面得到一个最小散焦圆斑2RC ，折算到物平面上得到一漫散圆斑2ΔrC。; 用ΔrC表示色散，得 CC—色差系数；（Δ