集成电路设计与制造工艺概述探究.ppt

第5章 集成电路设计与制造工艺概述;;;一、集成电路设计;;;; 根据设计内容不同分类;版图与制版;版图与棍图; NMOS晶体管版图; N阱工艺CMOS反相器版图;版图设计规则;;二、集成电路制造基本工艺;1.薄膜制备;1.薄膜制备;金属化工艺;（a）淀积一层金属铝;氧化工艺;2.光刻与刻蚀（图形转换）; 3.掺杂;2、离子注入 离子注入掺杂分为两个步骤：离子注入和退火再分布。离子注入是通过高能离子束轰击硅片表面，在掺杂窗口处，杂质离子被注入硅本体，在其他部位，杂质离子被硅表面的保护层屏蔽，完成选择掺杂的过程。进入硅中的杂质离子在一定的位置形成一定的分布。 由于高能粒子的撞击，导致硅结构的晶格发生损伤。为恢复晶格损伤，在离子注入后要进行退火处理，根据注入的杂质数量不同，退火温度在450℃~950℃之间，掺杂浓度大则退火温度高，反之则低。在退火的同时，掺入的杂质同时向硅体内进行再分布，如果需要，还要进行后续的高温处理以获得所需的结深和分布。 ;自对准工艺;4.热处理; N阱工艺中的闩锁效应（Latch-Up）;闩锁效应电路模型